[发明专利]电镀处理器的自动原位控制

权利要求书

1.一种电镀处理器，所述电镀处理器包括：

容器，所述容器用于容纳电解质；

至少一个阳极、窃流电极和场成形单元在所述容器中；

分隔的第一参考电极和第二参考电极，所述第一参考电极位于所述容器的中心位置与所述第二参考电极之间；以及

控制器，所述控制器与所述至少一个阳极、所述窃流电极和所述第一参考电极和所述第二参考电极电连接。

2.如权利要求1所述的处理器，其中所述第一参考电极和所述第二参考电极位于共同半径上，所述共同半径从所述中心位置径向朝外延伸。

3.如权利要求1所述的处理器，其中所述第一参考电极和所述第二参考电极位于所述场成形单元中或所述场成形单元上。

4.如权利要求1所述的处理器，其中所述场成形单元包括上杯，所述上杯具有弯曲的顶表面和多个圆周槽，并且至少一个圆周槽位于所述第一参考电极与所述第二参考电极之间。

5.如权利要求1所述的处理器，其中所述窃流电极包括环，所述环围绕所述容器的上边缘延伸，并且所述第二参考电极位于所述窃流电极与所述第一参考电极之间。

6.如权利要求2所述的处理器，其中所述容器具有半径R，所述第一参考电极位于距所述中心位置至少0.65R处。

7.如权利要求1所述的处理器，进一步包括可与所述容器啮合的头部，所述头部具有晶片保持位置，所述晶片保持位置用于将晶片保持在所述第二参考电极上方5-30mm处。

8.如权利要求1所述的处理器，其中所述第二参考电极在比所述第一参考电极高的垂直位置。

9.如权利要求4所述的处理器，进一步包括位于一个或更多个所述圆周槽中的补充参考电极。

10.一种控制电镀处理器的方法，所述电镀处理器具有至少一个阳极和窃流电极，所述方法包括：

测定电解质中的电压梯度，所述电解质邻近于晶片的边缘；

利用所述电压梯度测定流入电解质容积的径向电流，所述电解质邻近于所述晶片的所述边缘；

测定流出所述容积而至窃流电极的径向电流；

测定流入所述容积的垂直电流；

由流入所述容积的所述径向电流和流入所述容积的所述垂直电流的总和减去流向所述窃流电极的所述径向电流，以计算流向所述晶片表面的电流；

由目标值减去流向所述晶片表面的所述电流，以测定误差值；

利用所述误差值来控制流向所述阳极和所述窃流电极的至少之一的电流。

11.如权利要求10所述的方法，进一步包括依据流向所述晶片表面的所述电流来测定表面电阻。

12.如权利要求10所述的方法，其中所述处理器具有内部阳极和外部阳极，所述晶片位于头部中，通过选择所述头部相对于所述电解质表面的特定高度，使来自所述外部阳极的电流对于所有表面电阻保持恒定，所述方法进一步包括控制窃流电流。