[发明专利]一种晶圆横向水平对准的方法有效
| 申请号: | 201410273408.6 | 申请日: | 2014-06-18 |
| 公开(公告)号: | CN105428291B | 公开(公告)日: | 2019-06-28 |
| 发明(设计)人: | 吴奇伟;尹彬锋;王炯 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68 |
| 代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 吴俊 |
| 地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 横向 水平 对准 方法 | ||
1.一种晶圆横向水平对准的方法,应用于并行测试系统,其特征在于,所述方法包括:
提供一显示器和一待测晶圆,所述待测晶圆上设置有若干条相互垂直的切割线;
在所述显示器的两侧边框的中心位置均水平设置一个横向对准标记,所述横向对准标记的一端紧贴显示器中的显示屏;
在所述显示屏两侧边框上均竖直设置一刻度尺,所述刻度尺中的0刻度线与对准标记沿水平方向上延伸的直线重合;
所述显示屏显示出一贯穿整个显示屏的切割线作为待测晶圆的横向水平线;
当所述待测晶圆的横向水平线的一端与所述显示屏一侧的所述横向对准标记以及所述刻度尺均相交时,根据待测晶圆的横向水平线另一端与所述显示屏另一侧的所述刻度尺的交点读出一晶圆偏移角度;
通过一周围设置有刻度的角度旋钮将待测晶圆反方向旋转所述晶圆偏移角度,直至待测晶圆的横向水平线与两侧刻度尺上的0刻度线均相交;
其中,任一所述刻度尺上的刻度单位均与所述角度旋钮上的刻度单位保持一致。
2.如权利要求1所述一种晶圆横向水平对准的方法,其特征在于,
所述待测晶圆被固定在一晶圆承载盘上;
其中,通过旋转所述角度旋钮可以旋转所述晶圆承载盘,以带动所述待测晶圆旋转。
3.如权利要求1所述一种晶圆横向水平对准的方法,其特征在于,在晶圆承载盘的上方设置有一显微镜,通过所述显微镜将观测结果反馈至所述显示器中,以观察晶圆承载盘上待测晶圆的横向水平线。
4.如权利要求3所述一种晶圆横向水平对准的方法,其特征在于,所述显微镜对准任意两条相互垂直的切割道的十字交点,将沿着所述十字交点横向水平方向的切割道作为所述待测晶圆的横向水平线。
5.如权利要求3所述一种晶圆横向水平对准的方法,其特征在于,当所述待测晶圆的横向水平线与任一所述横向对准标记不相交时,移动所述显微镜直至所述待测晶圆的横向水平线与所述横向对准标记刻度相交。
6.如权利要求1所述的一种晶圆横向水平对准的方法,其特征在于,所述刻度尺上每条刻度线所对应的角度是所述待测晶圆的横向水平线与两对准标记的水平连线之间的夹角。
7.如权利要求1所述的一种晶圆横向水平对准的方法,其特征在于,通过所述角度旋钮使所述待测晶圆绕其中心点在水平面内旋转。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





