[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示装置

说明书

技术领域

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及其制备

方法、显示装置。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)是一种重要的平板显示设备。根据驱动液晶的电场方向，可以分为垂直电场型和水平电场型。垂直电场型需要在阵列基板上形成像素电极，在彩膜基板上形成公共电极，如常用的TN模式；而水平电场型则需要在阵列基板上同时形成像素电极和公共电极；目前的水平电场型显示技术可以提高TFT-LCD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹(push Mura)等优点。

现有的阵列基板主要包括薄膜晶体管、栅线、数据线、像素电极、公共电极。以下通过包括底栅型薄膜晶体管的阵列基板进行说明。

如图1所示，该阵列基板包括是形成在基底1上的栅极2、栅线，以及公共电极线(三者同层、同材料)；形成在栅极2、栅线、公共电极线上方的栅极绝缘层3；形成在栅极绝缘层3上方的有源层4；形成在有源层4上方的源极5-1、漏极5-2，以及数据线10(三者同层、同材料)；形成在源极5-1、漏极5-2、数据线上方的平坦化层，形成在平坦化层上方并通过贯穿平坦化层的第一过孔与漏极5-2连接的板状像素电极；形成在像素电极6上方的钝化层；形成在钝化层上方的狭缝状公共电极8，该公共电极8通过贯穿钝化层、平坦化层、栅极绝缘层的第二过孔与公共电极线12连接。其中，薄膜晶体管的栅极2、源极5-1、漏极5-2均采用金属材料，像素电极6和公共电极8通常采用透明导电的氧化铟锡(ITO)材料。

通过上述结构发明人发现现有技术中的阵列基板至少存在如下问题：由于公共电极线本身电阻较大，所以当通过公共电极线给公共电极加载电压时，由于公共电极线本身的电阻较大，故其会带来(RC)信号延迟，以及公共电极线上产生压降(IR drop)的问题；同时由于公共电极线与数据线存在交叠，必然存在较大的耦合电容，从而公共电极上的负载加大，导致公共电极上的波动较大，引起的绿附(greenish)较严重。

发明内容

本发明所要解决的技术问题包括，针对现有的阵列基板存在的上述的问题，提供一种缓解由于公共电极线电阻过大，导致信号延迟、失真问题的阵列基板及其制备方法、显示装置。

解决本发明技术问题所采用的技术方案的实施方式包括：一种阵列基板，包括像素电极，设于像素电极上方的公共电极，以及与公共电极电性连接的公共电极线，其中，所述像素电极与所述公共电极之间相互绝缘设置，其中，所述阵列基板还包括第一电阻线层，以及设置在第一电阻线层上方且与第一电阻线层相互绝缘设置的第二电阻线层，

所述第一电阻线层设置在所述公共电极线上并与所述公共电极线接触；

所述第二电阻线层通过贯穿所述第一电阻线层和所述第一电阻线层与所述第二电阻线层之间的绝缘层的过孔与所述公共电极线连接。

本发明实施方式的阵列基板中的公共电极线、第一电阻线层以及第二电阻线层并联的结构，实质等同于现有技术中的公共电极线的结构，将公共电极线和第一电阻线层、第二电阻线层分别等效成电阻R1、R2、R3，公共电极线和第一电阻线层与第二电阻线层的电阻和为R4，由于公共电极线上设置有第一电阻线层，此时相当于电阻R1、R2、R3并联，根据并联电阻公式得知：R4＝1/R1+1/R2+1/R3，故R4小于R1、R2、R3中任何一个电阻的阻值。也就是说本实施例中公共电极线、第一电阻线层以及第二电阻线层的设置方式相当于降低了公共电极线的电阻，从而可以有效的缓解RC延迟的问题。

优选的是，所述第一电阻线层与所述像素电极同层间隔设置且材料相同。

优选的是，所述第二电阻线层与所述公共电极同层设置且材料相同，其中，第二电阻线层与所述公共电极连接。

优选的是，所述阵列基板还包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的源极和漏极与数据线同层设置，且所述数据线与所述源极连接，所述数据线与所述公共电极线同层且平行设置。

进一步优选的是，所述薄膜晶体管的源极和漏极的材料与所述数据线、所述公共电极线的材料相同。

解决本发明技术问题所采用的技术方案的实施方式包括：一种阵列基板的制备方法，所述阵列基板为上述阵列基板，所述阵列基板的制备方法包括：

在基底上通过构图工艺形成包括公共电极线的图形；

在完成上述步骤的基底上，通过构图工艺形成包括与所述公共电极线接触的第一电阻线层的图形；