[发明专利]绕包电磁线及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及绝缘材料技术领域，特别涉及一种绕包电磁线及其制备方法。

背景技术

电磁线是用以制造电工产品中的线圈或绕组的绝缘电线，其基本组成包括导电线芯和电绝缘层。其中，绕包电磁线是电磁线中除漆包线以外的一大类产品。在许多特殊场合，如航空航天、军事、核电和海上油井等领域，所使用的绝缘电线除了要求一般的电气性能和机械特性，还必须具有低烟无卤、质轻、耐辐射、耐高低温和优异的力学性能，并且在有些领域还要求具有良好的耐水、耐腐蚀、防霉、阻燃或不燃，以及耐冷媒等特点。

目前，应用在上述特殊领域中的电磁线主要是通过聚酰亚胺-氟46复合薄膜绕包在铜线上而制成的绕包电磁线，其绝缘处理工艺主要包括以下步骤：导体处理→薄膜绕包→高温烧结→冷却。其中，聚酰亚胺-氟46复合薄膜形成绝缘层，这样制备的电磁线具有较好的绝缘性能。

但是，聚酰亚胺薄膜由于自身分子结构的限制，耐高温水解性能较差，在长时间的高温水浸润或油气井下反复高温蒸汽灭菌，将会导致电磁线的绝缘性能降低，造成安全事故。因此，能满足在恶劣环境下较好使用要求的绝缘电磁线亟待开发。

发明内容

为了解决以上技术问题，本发明提供一种绕包电磁线及其制备方法，本发明提供的绕包电磁线具有良好的绝缘性能和耐高温水解性能。

本发明提供一种绕包电磁线，包括：

金属导体；和

复合在所述金属导体上的绝缘层；

所述绝缘层由线性芳族半结晶聚合物薄膜绕包所述金属导体经烧结形成。

优选的，所述线性芳族半结晶聚合物薄膜为聚芳醚酮类聚合物薄膜。

优选的，所述聚芳醚酮类聚合物薄膜为聚醚醚酮薄膜、聚醚酮薄膜、聚醚酮酮薄膜、聚醚醚酮酮薄膜和聚醚酮醚酮酮薄膜中的一种或多种。

优选的，所述绝缘层的厚度为0.05mm～0.20mm。

优选的，所述金属导体为纯铜。

本发明还提供一种绕包电磁线的制备方法，包括以下步骤：

提供金属导体；

将线性芳族半结晶聚合物薄膜绕包在所述金属导体上，经烧结，在所述金属导体上复合绝缘层，得到绕包电磁线。

优选的，所述线性芳族半结晶聚合物薄膜为聚芳醚酮类聚合物薄膜。

优选的，所述金属导体为纯铜。

优选的，所述绕包的张力为9N～12N。

优选的，所述烧结的温度为343℃～390℃。

与现有技术相比，本发明将线性芳族半结晶聚合物薄膜绕包在金属导体上，经烧结，在所述金属导体上复合绝缘层，得到绕包电磁线。本发明利用线性芳族半结晶聚合物薄膜作为绝缘层材料，能够赋予电磁线良好的绝缘性能，并使其具有耐高温、耐高温水解、耐辐射和耐化学腐蚀等特性。同时，经过高温烧结后，本发明使线性芳族半结晶聚合物薄膜与金属导体、薄膜与薄膜之间形成一个紧密的整体，烧结出来的绕包电磁线的绝缘一致性好，从而能有效地提高应用其的线圈的整体绝缘性，延长电机的使用寿命。

附图说明

图1为本发明实施例提供的绕包电磁线的截面示意图；

图2为本发明实施例制备绕包电磁线的工艺流程示意图。

具体实施方式

为了进一步理解本发明，下面结合实施例对本发明优选实施方案进行描述，但是应当理解，这些描述只是为进一步说明本发明的特征和优点，而不是对本发明权利要求的限制。

本发明公开了一种绕包电磁线，包括：

金属导体；和

复合在所述金属导体上的绝缘层；

所述绝缘层由线性芳族半结晶聚合物薄膜绕包所述金属导体经烧结形成。

针对现有技术的不足，本发明提供了一种具有良好的绝缘性能以及耐高温、耐水解、耐辐射和耐化学腐蚀的绕包电磁线。

参见图1，图1为本发明实施例提供的绕包电磁线的截面示意图。在图1中，1为金属导体，2为复合在金属导体1上的绝缘层。

本发明提供的绕包电磁线包括金属导体1，其为电磁线的内导体。本发明对所述金属导体没有特殊限制，优选为纯铜，纯铜含铜量最高，又分为普通紫铜、无氧铜、脱氧铜和特种铜四类，本发明更优选无氧铜。在本发明的一个实施例中，所述金属导体为铜扁线，或者为扁铜棒。

本发明提供的绕包电磁线包括绝缘层2，其复合在金属导体1上，为线性芳族半结晶聚合物薄膜绝缘层。也就是说，所述绝缘层由线性芳族半结晶聚合物薄膜绕包所述金属导体经烧结形成。