[发明专利]绕包电磁线及其制备方法有效
| 申请号： | 201410254216.0 | 申请日： | 2014-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN104021850A | 公开（公告）日： | 2014-09-03 |
| 发明（设计）人： | 李鸿岩 | 申请（专利权）人： | 株洲时代新材料科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01B7/02 | 分类号： | H01B7/02;H01B13/10 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 赵青朵 |
| 地址： | 412007 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电磁线 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种绕包电磁线，包括：
金属导体；和
复合在所述金属导体上的绝缘层；
所述绝缘层由线性芳族半结晶聚合物薄膜绕包所述金属导体经烧结形成。
2.根据权利要求1所述的绕包电磁线，其特征在于，所述线性芳族半结晶聚合物薄膜为聚芳醚酮类聚合物薄膜。
3.根据权利要求2所述的绕包电磁线，其特征在于，所述聚芳醚酮类聚合物薄膜为聚醚醚酮薄膜、聚醚酮薄膜、聚醚酮酮薄膜、聚醚醚酮酮薄膜和聚醚酮醚酮酮薄膜中的一种或多种。
4.根据权利要求1至3任一项所述的绕包电磁线，其特征在于，所述绝缘层的厚度为0.05mm～0.20mm。
5.根据权利要求1至3任一项所述的绕包电磁线，其特征在于，所述金属导体为纯铜。
6.一种绕包电磁线的制备方法，包括以下步骤：
提供金属导体；
将线性芳族半结晶聚合物薄膜绕包在所述金属导体上，经烧结，在所述金属导体上复合绝缘层，得到绕包电磁线。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述线性芳族半结晶聚合物薄膜为聚芳醚酮类聚合物薄膜。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述金属导体为纯铜。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述绕包的张力为9N～12N。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述烧结的温度为343℃～390℃。
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