[发明专利]薄膜太阳能电池的CIS基吸收层中的三维组成分布有效

专利信息
申请号: 201410247822.X 申请日: 2014-06-05
公开(公告)号: CN104795457B 公开(公告)日: 2017-04-12
发明(设计)人: 黄乾燿 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L31/032 分类号: H01L31/032;H01L31/065;H01L31/0749;H01L31/18;H01L21/02
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 代理人: 章社杲,孙征
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 薄膜 太阳能电池 cis 吸收 中的 三维 组成 分布
【权利要求书】:

1.一种太阳能电池,包括:

衬底;以及

吸收层,设置在所述衬底上方,所述吸收层具有底面和顶面以及包括至少一个第一区域和多个第二区域的水平图案,所述第一区域和所述第二区域从所述底面至所述顶面具有不同的组成分布。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中,所述第一区域和所述第二区域均包括铜、铟、镓、硒和硫,并且所述组成分布表示原子比率Ga/(Ga+In)的梯度。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池,还包括多个第三区域,其中,所述至少一个第一区域具有第一组成分布,每个所述第二区域具有相应的第二组成分布,并且每个所述第三区域具有第三组成分布,其中,所述第一组成分布、所述第二组成分布和所述第三组成分布均彼此不同。

4.一种太阳能电池包括:

衬底;

CIS基吸收层,设置在所述衬底的上方,所述CIS基吸收层具有底面和顶面以及包括至少一个第一区域和多个第二区域的水平图案,所述第一区域和所述第二区域从所述底面至所述顶面具有不同的组成分布。

5.根据权利要求4所述的太阳能电池,其中,所述至少一个第一区域和所述多个第二区域由相同的组分形成。

6.根据权利要求5所述的太阳能电池,其中,在每个所述第一区域和每个所述第二区域中,所述组成分布是从所述顶面至所述底面增加的原子比率Ga/(Ga+In)的梯度。

7.根据权利要求4所述的太阳能电池,其中,所述CIS基吸收层包括五元Cu-Ⅲ-Ⅵ2合金材料,并且所述至少一个第一区域和所述多个第二区域均由至少包括至少Cu、In、Ga以及S和Se中的至少一种的相同组分形成,其中,所述组成分布是原子比率Ga/(Ga+In)的梯度。

8.根据权利要求4所述的太阳能电池,其中,所述至少一个第一区域包括多个第一区域,并且所述第一区域和所述第二区域为矩形形状且以棋盘式图案的方式布置。

9.根据权利要求4所述的太阳能电池,其中所述多个第二区域包括离散的第二区域,并且所述至少一个第一区域包括一个块状第一区域,所述一个块状第一区域占据所述CIS基吸收层中未被所述第二区域占据的所有其他部分,并且所述组成分布是原子比率Ga/(Ga+In)的梯度。

10.一种形成太阳能电池的方法,包括:

通过以下步骤在共蒸发装置中的衬底上方形成图案化的CIS基吸收层:

使用第一蒸发源进行第一蒸发以在所述衬底的至少一个第一部分中形成具有第一组成分布的至少一个第一区域,以及

使用第二蒸发源进行第二蒸发以形成均具有第二组成分布的多个第二区域,每个所述第二区域均位于所述衬底的相应的第二部分中,

其中,所述至少一个第一区域中的每一个和所述多个第二区域中的每一个均包括共同的组分并且所述第一组成分布不同于所述第二组成分布。

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