[发明专利]背照式低串扰图像传感器像素结构及制作方法

权利要求书

1.一种背照式低串扰图像传感器像素结构，包括硅基底，所述硅基底中设有多个感光器件，其特征在于，相邻的感光器件之间及边部的感光器件的外侧分别设有防串扰层。

2.根据权利要求1所述的背照式低串扰图像传感器像素结构，其特征在于，所述防串扰层的深度为2um到4um。

3.根据权利要求2所述的背照式低串扰图像传感器像素结构，其特征在于，所述防串扰层的位置位于从所述硅基底的正表面至距离所述硅基底的背表面0.05um～0.2um处。

4.根据权利要求3所述的背照式低串扰图像传感器像素结构，其特征在于，所述防串扰层的材料的折射率小于硅材料的折射率。

5.根据权利要求4所述的背照式低串扰图像传感器像素结构，其特征在于，所述防串扰层的材料为折射率1.45的二氧化硅材料。

6.一种权利要求1至5任一项所述的背照式低串扰图像传感器像素结构的制作方法，其特征在于，采用注入工艺在所述像素结构中形成防串扰层，包括步骤：

A.遵循传统的集成电路制造工艺，采用光刻和刻蚀的方法，形成用于隔离器件的浅槽隔离槽；

B.旋涂光刻胶；

C.曝光并显影，去除像素阵列区域上面的光刻胶；

D.采用注入工艺，注入氧离子；

E.清洗光刻胶，将所有光刻胶去除；

F.遵循传统集成电路完成后续工艺。

G.在器件硅背面制造抗反射涂层；

H.在抗反射涂层上面制作平坦层；

I.在平坦层上制作彩色滤光片；

J.在滤光片上面制作微透镜。

7.根据权利要求6所述的背照式低串扰图像传感器像素结构的制作方法，其特征在于，所述步骤A中形成浅槽隔离槽的深度为0.3um-0.5um。

8.根据权利要求7所述的背照式低串扰图像传感器像素结构的制作方法，其特征在于，所述步骤D还包括：

对所述浅槽隔离槽进行填充，所述浅槽隔离槽填充后与注入形成的二氧化硅连成防串扰层，填充所述浅槽隔离槽的材料为二氧化硅；

通过光刻和刻蚀工艺形成所需感光器件，并进行逐层的介质淀积和金属布线；

对所述硅基底的背表面进行减薄，最终厚度为2.0um～5um。