[发明专利]制造碳化硅单晶的方法和碳化硅单晶衬底

权利要求书

1.一种制造碳化硅单晶的方法，包括以下步骤：

制备具有第一侧和与所述第一侧相反的第二侧的坩埚；

在所述坩埚中的所述第一侧，布置用于利用升华方法生长碳化硅的固体源材料；

在所述坩埚中的所述第二侧布置由碳化硅制成的籽晶；

将所述坩埚布置在绝热容器中，所述绝热容器具有面向所述坩埚的所述第二侧的开口；

加热所述坩埚，使得所述固体源材料升华并在所述籽晶上再结晶；并且

通过所述绝热容器中的所述开口，测量被加热的所述坩埚的所述第二侧的温度，所述绝热容器中的所述开口具有向着所述绝热容器的外侧变窄的锥形内表面。

2.根据权利要求1所述的制造碳化硅单晶的方法，其中

相对于从所述坩埚的所述第一侧到所述坩埚的所述第二侧的方向，所述绝热容器中的所述开口的所述锥形内表面的法线方向倾斜不小于120°且不大于170°。

3.根据权利要求1所述的制造碳化硅单晶的方法，其中

所述绝热容器中的所述开口的由所述锥形内表面形成的部分的深度大于所述绝热容器中的所述开口的开口面积的有效直径的1/3。

4.根据权利要求1所述的制造碳化硅单晶的方法，其中

所述开口的所述锥形内表面具有Ra<0.9μm的表面粗糙度。

5.根据权利要求1所述的制造碳化硅单晶的方法，其中

所述绝热容器具有主体部和相对于所述主体部位于外侧的外侧部，所述绝热容器中的所述开口穿过所述主体部和所述外侧部，所述开口在所述外侧部中具有所述锥形内表面，并且所述外侧部的密度比所述主体部高。

6.根据权利要求5所述的制造碳化硅单晶的方法，其中

所述绝热容器的所述外侧部由玻璃碳和热解碳中的至少一种制成。

7.根据权利要求5所述的制造碳化硅单晶的方法，其中

所述绝热容器的所述主体部由碳纤维制成。

8.一种碳化硅单晶衬底，包括主表面，所述主表面为包含具有100mm的直径的圆的形状，在通过在所述主表面上投影c轴获得的方向上的角分布在3°以内。

9.根据权利要求8所述的碳化硅单晶衬底，其中

所述主表面相对于{0001}面具有大于1°的偏离角。