[发明专利]一种触控面板结构及其制造方法在审
申请号: | 201410198548.1 | 申请日: | 2014-05-12 |
公开(公告)号: | CN103955314A | 公开(公告)日: | 2014-07-30 |
发明(设计)人: | 岳明彦 | 申请(专利权)人: | 山东华芯富创电子科技有限公司 |
主分类号: | G06F3/041 | 分类号: | G06F3/041;G06F3/044 |
代理公司: | 济南泉城专利商标事务所 37218 | 代理人: | 丁修亭 |
地址: | 250102 山东省济南市*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 面板 结构 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种触控面板结构及其制造方法。
背景技术
已知的一种电容式触控面板构造电容的结构是,于一透明导电膜上图案化,获得具有第一方向的复数个相互平行且分离的第一图案,且该第一图案具有在第一方向上顺次均匀排列的复数个第一本体部,相邻本体部则通过连接部相连;图案化时,在第一图案间形成有与第一图案分离并在第二方向上分布的第二本体部阵列。为电信号传出,需将如一列的第二本体部串接,形成第二图案,于此,需构造跨越第一连接部的桥以连接相邻第二本体部,即形成搭桥结构。
于搭桥结构的桥点形成电容,需构造绝缘介质,以隔离第一连接部与桥体。绝缘介质位于第一图案之上,具有一定的厚度,因而,桥点具有一定的高度。公知的,如图1所示,图中最下面为透明导电膜,于垂直于纸面的方向为第一方向,水平方向为第二方向,由于正交的第一图案和第二图案构造在同一面透明导电膜上,图中第二图案被第一图案隔断,那么图中第二本体部5需要通过搭桥实现连接,以形成第二图案。
受绝缘层2厚度的影响,搭桥所形成的功能性部分,即桥体1,如图中上端水平部分,不可避免的需要配设爬坡段3以匹配绝缘层的厚度,并配合具有一定接触面积的结合部4。爬坡段3与桥体1以及与结合部4的连接部位形成如图1所示的采用倾斜(倾斜角相对较大,一般都大于80度)、90度或者接近90度的连接结构,属于应力集中部位,且爬坡偏长,应力集中被放大,容易产生桥点断线。
为改善桥点结构状况,在一些实现中,爬坡段3采用向内倾斜的结构,然而,这种结构对桥点结构的改善有限,且倾斜爬坡段3的结构,需要与之配合的绝缘层2相应部位也加工成倾斜结构,然而在微细加工中,如光刻、化学蚀刻,所形成的加工面基本上是如图中所示的立面的爬坡段,倾斜的结构形成难度大。
中国专利文献CN202838249U公开了一种通过增加桥点与绝缘层2,以及结合部4与第二本体部5的接触面积,从而提高整体的结构强度,籍以降低桥点断裂时对电性的影响。然而,受如第二本体部形状的影响,接触面积的增到会受到很大的限制,且对桥点材料的使用量也会大大增加。
中国专利文献CN102346609A对桥点断线也有述及,并在背景技术部分涉及到原理性的表述,所提出的方案可以理解为采用倾斜的爬坡段与增加结合部4的覆盖率的结合。
中国CN202904529U则给出了一种特征鲜明的搭桥结构,在叠置了第一透明导电层的基板上构造凹槽,被跨越的连接部及绝缘层被置入凹槽内,藉由设置绝缘层于基板的凹槽内而使桥点不需要爬过绝缘层的凸起高度,籍以解决因爬坡而发生断裂的问题。该结构类同于对基板进行图案化,一方面会降低基板的强度,且整体工艺难度相对较高。
发明内容
因此,本发明的目的在于提出一种通过缓冲爬坡的结构以降低断线风险的触控面板结构,以及产生这种触控面板结构的制作方法。
依据本发明的一个方面,一种触控面板结构,包括:
复数个第一图案,相互分离,并平行于第一方向,且该第一图案由第一本体部藉由第一连接部顺次串列而成;
复数个第二图案,相互分离并平行于第二方向,该第二方向与第一方向相交,其中该第二图案与所述第一图案共面,且该第二图案具有复数个第二本体部,同一第二图案上相邻第二本体部通过位于第一连接部之上的桥点跨接;
绝缘层,设置在桥点与第一连接部之间;
桥点具有水平的桥体和相应连接于桥体端部并匹配绝缘层厚度的爬坡段,及将爬坡段连接到所在侧第二本体部的结合部;
其中,绝缘层在爬坡段所在侧形成梯级结构,相应地,爬坡段匹配有梯级结构。
依据本发明的另一个方面,一种触控面板制造方法,用于具有桥点的触控面板的制作,其特征在于,形成桥点的步骤为:
在被桥接的图案上形成绝缘面层;
使用半色调掩膜方法图案化所述绝缘面层而形成绝缘层,从而在目标桥点位置形成在桥点连接端具有梯级结构的绝缘层单体图案;
依附于所述绝缘层单体图案制作具有梯级爬坡段的桥点。
依据本发明,通过在桥点的爬坡段增加用以缓冲的台阶,降低应力集中的影响,从而降低了断线的风险。
附图说明
图1为公知的一种搭桥结构示意图。
图2为依据本发明的一种搭桥结构剖面结构示意图。
图3为依据本发明的一种搭桥结构俯视状态示意图。
图4为透明导电层搭桥前的剖面结构示意图。
图5为制作形成整面绝缘层的结构示意图。
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