[发明专利]一种培养基及用该培养基生产多成分高活性灵芝菌粉方法

权利要求书

1.一种深层发酵生产多成分高活性灵芝菌粉的培养基，其特征在于，所述每升培养基中含有大米粉1-5g，马铃薯汁1-40 g，山葡萄籽粉1-6 g，人参粉1-2 g，杏仁粉1-3 g，枸杞子粉1-3 g，山楂汁1-4 g，银杏叶1-5 g，磷酸二氢钾0.1-0.5 g，硫酸镁0.1-0.5 g，葡萄糖1-5 g，其余为水，PH值自然。

2.根据权利要求1所述的一种深层发酵生产多成分高活性灵芝菌粉的培养基，其特征在于，所述每升培养基中含有大米粉1-5g，马铃薯汁1-10 g，山葡萄籽粉1-3.5 g，人参粉1-1.5 g，杏仁粉1-1.2g，枸杞子粉1-2.5g，山楂汁1-2.5g，银杏叶1-2.5g，磷酸二氢钾0.1-0.5g，硫酸镁0.1-0.25g，葡萄糖1-3g，其余为水，PH值自然。

3.一种用上述权利要求所述培养基深层发酵生产多成分高活性灵芝菌粉的方法，其特征在于，包括如下步骤：

1）将灵芝菌种在斜面培养基上培养得到斜面菌种；

2）将斜面菌种接种到液体种子培养基中，进行扩繁培养，得到液体种子；

3）将步骤2）得到的液体种子按0.5-1%的接种量接种到一级种子罐的培养基中培养得到一级种子液；

4）将步骤3）得到的一级种子液按5-10%的接种量接种到上述权利要求所述的培养基中，在温度25-27℃，压力0.03-0.05MPa，空气流量1：0.5-1.0v/v,菌丝浓度40-55w/v的条件下，深层发酵培养56-72h，得到发酵液；

5）将步骤4）得到的发酵液经过滤得到灵芝湿菌丝体和过滤液，湿菌丝体干燥后研磨得到灵芝菌粉；过滤液经真空浓缩干燥后研磨得到灵芝菌粉。

4.根据权利要求3所述的深层发酵生产多成分高活性灵芝菌粉的方法，其特征在于，步骤1）中所述的斜面培养基为PDA培养基，培养条件为22-25℃，培养5-7天。

5.根据权利要求3所述的深层发酵生产多成分高活性灵芝菌粉的方法，其特征在于，步骤2）中所述液体种子培养基为PDA培养基，培养条件为22-25℃，摇床转数为100-120转/min，暗培养3-5天。

6.根据权利要求3所述的发酵生产多成分高活性灵芝菌粉的方法，其特征在于，步骤3）中所述一级种子罐培养基为综合培养基，培养条件为25-27℃，48h。