[发明专利]半导体传感器校准装置、系统和方法有效
申请号: | 201410175473.5 | 申请日: | 2014-04-29 |
公开(公告)号: | CN103968876B | 公开(公告)日: | 2016-11-30 |
发明(设计)人: | 张波;蒋登峰;魏建中 | 申请(专利权)人: | 杭州士兰微电子股份有限公司 |
主分类号: | G01D18/00 | 分类号: | G01D18/00 |
代理公司: | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人: | 蔡纯;冯丽欣 |
地址: | 310012*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 传感器 校准 装置 系统 方法 | ||
1.一种半导体传感器校准装置,其特征在于,包括:
测试座,用于连接待校准半导体传感器,向处理器传输待校准半导体传感器测量获得的待校准测量值;
参考传感器,用于根据外部物理量获取参考测量值;
非易失性存储器,用于存储预先测量的与每一参考测量值对应的修正补偿值;
处理器,分别与所述测试座、参考传感器和非易失性存储器连接,根据所述参考测量值查询对应的修正补偿值,并根据所述参考测量值和对应修正补偿值计算外部物理量的精确值,根据所述外部物理量的精确值和所述待校准测量值进行校准。
2.根据权利要求1所述的半导体传感器校准装置,其特征在于,还包括通信接口,用于与上位机通信;
所述处理器与所述通信接口连接,在预先测量参考传感器的修正补偿值时,通过所述通信接口向所述上位机传输所述参考传感器的参考测量值,并接收上位机计算的修正补偿值,将所述修正补偿值存储至所述非易失性存储器。
3.根据权利要求1所述的半导体传感器校准装置,其特征在于,所述处理器在待校准测量值和精确值的差值超出待校准半导体传感器的校准范围时判定所述待校准半导体传感器为不合格产品。
4.根据权利要求1所述的半导体传感器校准装置,其特征在于,所述参考传感器的量程大于所述待校准半导体传感器的量程,且所述参考传感器的精度高于所述待校准半导体传感器的精度。
5.一种半导体传感器校准系统,其特征在于,包括第一外部物理量生成装置、半导体传感器校准装置和待校准半导体传感器;
所述第一外部物理量生成装置用于生成具有第一误差的外部物理量;
所述半导体传感器校准装置包括测试座、参考传感器、非易失性存储器和处理器;
其中,所述测试座用于连接所述待校准半导体传感器,向处理器传输待校准半导体传感器测量获得的待校准测量值;
参考传感器用于根据外部物理量获取参考测量值;
非易失性存储器用于存储预先测量的与每一参考测量值对应的修正补偿值;
处理器分别与所述测试座、参考传感器和非易失性存储器连接,根据所述参考测量值查询对应的修正补偿值,并根据所述参考测量值和对应修正补偿值计算外部物理量的精确值,根据所述外部物理量的精确值和所述待校准测量值进行校准。
6.根据权利要求5所述的半导体传感器校准系统,其特征在于,所述半导体传感器校准系统还包括上位机和第二外部物理量生成装置;
所述第二外部物理量生成装置用于按照参考传感器的精度和量程逐一生成具有第二误差的外部物理量,所述第二误差小于所述第一误差;
所述半导体传感器校准装置还包括通信接口,用于与上位机通信;
所述处理器与所述通信接口连接,在预先测量参考传感器修正补偿值时,通过所述通信接口向上位机传输所述参考传感器测量每个所述具有第二误差的外部物理量获得的参考测量值,并接收上位机计算获得的对应的修正补偿值,将所述修正补偿值存储至所述非易失性存储器;
所述上位机用于从所述第二外部物理量生成装置获取每个所述具有第二误差的外部物理量的理论值,根据所述半导体传感器校准装置上传的参考测量值和所述理论值计算所述修正补偿值。
7.根据权利要求5所述的半导体传感器校准系统,其特征在于,所述处理器在待校准测量值和精确值的差值超出待校准半导体传感器的校准范围时判定所述待校准半导体传感器为不合格产品。
8.根据权利要求5所述的半导体传感器校准系统,其特征在于,所述参考传感器的量程大于所述待校准半导体传感器的量程,且所述参考传感器的精度高于所述待校准半导体传感器的精度。
9.一种半导体传感器校准方法,其特征在于,包括:
获取待校准半导体传感器的待校准测量值和参考传感器测量获得的参考测量值,所述待校准测量值和所述参考测量值为将具有第一误差的外部物理量同时施加于待校准半导体传感器和参考传感器测量获得;
根据所述参考测量值查找对应的修正补偿值;
根据所述参考测量值和对应的修正补偿值计算所述具有第一误差的外部物理量的精确值;
根据所述待校准测量值和所述精确值对待校准半导体传感器进行校准。
10.根据权利要求9所述的半导体传感器校准方法,其特征在于,还包括:
预先测量每一参考测量值对应的修正补偿值。
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