[发明专利]电子封装模块的制造方法有效
| 申请号: | 201410174411.2 | 申请日: | 2014-04-28 |
| 公开(公告)号: | CN105023851B | 公开(公告)日: | 2018-05-01 |
| 发明(设计)人: | 林季民;梁小铁 | 申请(专利权)人: | 环旭电子股份有限公司;环鸿科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/76 |
| 代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人: | 赵根喜,李昕巍 |
| 地址: | 201203 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电子 封装 模块 制造 方法 | ||
1.一种电子封装模块的制造方法,其特征在于该电子封装模块的制造方法包括:
提供一基板,该基板具有一上表面,且该基板包括至少一接地垫,而该接地垫裸露于该上表面;
装设多个电子元件于该上表面,而该些电子元件与该基板电性连接;
形成一模封体包覆于所述多个电子元件,其中该模封体具有一顶面以及一相对该顶面的底面,而该底面接触该上表面;
于该模封体内形成一沟槽以将该模封体区隔出至少二封装隔间,该沟槽由该顶面延伸至该底面,而该沟槽于该顶面的径宽大于该沟槽于该底面的径宽;
于形成该沟槽之后,形成导电材料填满该沟槽的下半部以形成一第一隔间结构;
切割该模封体,以分离成多个单元;
形成导电材料覆盖该沟槽的上半部的表面并与该第一隔间结构电性连接,以形成一第二隔间结构;以及
形成导电材料于所述多个单元的顶面及侧面以形成一电磁遮蔽层,该电磁遮蔽层与该接地垫以及该第二隔间结构电性连接。
2.如权利要求1所述的电子封装模块的制造方法,其中形成该沟槽的步骤包括:
以激光烧蚀部分该模封体,以形成该沟槽。
3.如权利要求1所述的电子封装模块的制造方法,其中该沟槽的上半部由该第一隔间结构与该第二隔间结构的相连处延伸至该顶面,而该沟槽的下半部由该第一隔间结构与该第二隔间结构的相连处向下延伸至该基板的该上表面。
4.如权利要求3所述的电子封装模块的制造方法,其中该沟槽的上半部的深宽比小于2:1。
5.如权利要求1所述的电子封装模块的制造方法,其中形成该第一隔间结构的步骤包括:
注入导电材料填满该沟槽的下半部。
6.如权利要求1所述的电子封装模块的制造方法,其中形成该第二隔间结构的步骤包括:
喷镀导电材料覆盖该沟槽的上半部的表面。
7.如权利要求5所述的电子封装模块的制造方法,其中形成该第二隔间结构的步骤与形成该电磁遮蔽层的步骤为同时进行。
8.如权利要求1所述的电子封装模块的制造方法,其中该沟槽的径宽由该模封体的顶面方向朝向该底面方向缩减。
9.如权利要求1所述的电子封装模块的制造方法,其中该沟槽裸露出该接地垫,而该第一隔间结构与该接地垫电性连接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于环旭电子股份有限公司;环鸿科技股份有限公司,未经环旭电子股份有限公司;环鸿科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





