[发明专利]一种多层堆积的金属遮光薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201410170928.4 | 申请日： | 2014-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN103943643B | 公开（公告）日： | 2017-03-15 |
| 发明（设计）人： | 洪齐元;黄海 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司11212 | 代理人： | 杨立 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多层 堆积 金属 遮光 薄膜 及其 制备 方法 | ||
1.一种多层堆积的金属遮光薄膜，其特征在于：包括交替涂覆在器件晶圆上的至少一个金属铝薄膜和至少一个金属钨薄膜；所述金属遮光薄膜的总厚度为2000～4000埃米。
2.根据权利要求1所述的金属遮光薄膜，其特征在于：照射到所述最上层金属遮光薄膜的入射光波长范围为350～770纳米。
3.根据权利要求1所述的金属遮光薄膜，其特征在于：所述每层金属铝薄膜的厚度范围为500～2000埃米；所述每层金属钨薄膜的厚度范围为500～2000埃米。
4.根据权利要求1～3任一所述的金属遮光薄膜，其特征在于：所述金属铝薄膜的折射率均为0.8～0.9；所述金属钨薄膜的折射率均为0.7～0.8。
5.一种多层堆积的金属遮光薄膜的制备工艺，包括以下步骤：
(1)在器件晶圆的表面，采用物理气相沉积方法沉积一层金属铝薄膜，所述金属铝薄膜的厚度为500～2000埃米；
(2)在所述金属铝薄膜的上表面，采用化学气相沉积方法沉积一层金属钨薄膜，所述金属钨薄膜的厚度为500～2000埃米；
(3)重复上述两个步骤，交替沉积金属铝薄膜和金属钨薄膜，直至所述形成的金属遮光薄膜的总厚度达到2000～4000埃米。
6.根据权利要求5所述的金属遮光薄膜，其特征在于：所述金属遮光薄膜用于反射照射在其上的波长范围为350～770纳米的入射光。
7.根据权利要求5或6所述的金属遮光薄膜，其特征在于：所述金属铝薄膜的沉积温度为200～400℃，射频功率为200～1000W。
8.根据权利要求5或6所述的金属遮光薄膜，其特征在于：采用六氟化钨气体沉积所述金属钨薄膜，所述六氟化钨气体的流速为30～100sccm，沉积温度为300～400℃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
