[发明专利]一种高灵敏度的纳米氧化钴掺杂的盐酸米诺环素分子印迹电化学传感器及其制备方法

权利要求书

1.一种高灵敏度的纳米氧化钴掺杂的盐酸米诺环素分子印迹电化学传感器及其制备方法，其特征在于以盐酸米诺环素为模板分子(浓度0.015mmol/mL～0.046mmol/ml)、20(s)-O-3β-乙酰氧基-5-雄甾烯-17β-酰基喜树碱为功能单体(浓度0.15mmol/ml～0.36mmol/ml)、偶氮二异丁腈为引发剂(浓度0.06mmol/ml)、以马来松香丙烯酸乙二醇酯为交联剂(浓度0.38mmol/ml)、纳米氧化钴为掺杂剂(浓度0.0015g/ml～0.0028妙ml)，在玻碳电极表面形成一种杂化纳米氧化钴盐酸米诺环素分子印迹聚合物薄膜，然后采用洗脱剂甲酸和异丙醇混合溶剂(摩尔比1∶1)洗脱模板分子即得； 

具体按以下操作进行： 

<1>向10.0mL溶剂乙醇中，依次加入0.15mmol～0.46mmol模板分子盐酸米诺环素、1.5mmol～3.6mmol功能单体20(s)-O-3β-乙酰氧基-5-雄甾烯-17β-酰基喜树碱、3.8mmol交联剂马来松香丙烯酸乙二醇酯、0.6mmol引发剂偶氮二异丁腈及0.0150g～0.0280g的纳米氧化钴，每加入一种化学试剂超声波溶解5分钟； 

<2>取步骤<1>的混合物8μL涂于干净光滑的玻碳电极表面。放置6小时后，将修饰后的电极置于85℃的真空干燥箱内热聚合1.5小时，然后采用洗脱剂甲酸和异丙醇混合溶剂(摩尔比1∶1)将模板分子洗脱，即得。