[发明专利]一种制备InP薄膜材料的方法

权利要求书

1.一种制备InP薄膜材料的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1.以In₂O₃，P₂O₅为原料，按摩尔比In:P=1:1～2的比例混合，加入与固体原料质量50%～100%相当的无水乙醇，研磨均匀后干燥除去溶剂，用10～15MPa的压力将其压成片材，然后将其密封于真空安瓶中，在管式电炉中加热至500℃～600℃，恒温2～4h，自然冷却得到InPO₄固体材料；

步骤2.将真空安瓶打碎，放置InPO₄固体材料于薄膜沉积装置内反应区，基片预设于薄膜沉积装置沉积区，用高纯氮气抽真空置换到氧气浓度为ppm级，再用Ar和H₂混合气体抽真空置换1～2次，然后再抽真空至7～13Pa，控制升温速度为5～10℃/min，反应区加热升温1200℃～1250℃，沉积区加热升温至600℃～800℃，通入高纯氢气、作为萃取还原剂，恒温3～4h，其间保持真空度≥-0.08Mpa，最后自然降温至室温，即得到InP薄膜材料。

2.按权利要求1所述一种制备InP薄膜材料的方法，其特征在于，步骤1所述片材为圆形或方形，厚度为1～10mm。

3.按权利要求1所述一种制备InP薄膜材料的方法，其特征在于，步骤2中所述Ar和H₂混合气体中H₂体积百分比为10%～30%。