[发明专利]绝缘结构及绝缘方法

说明书

技术领域

本申请主张基于2013年5月31日申请的日本专利申请第2013-115318号的优先权。该申请的所有内容通过参考援用于本说明书中。

本发明涉及一种适合于离子注入装置或其离子源引出电极系统的绝缘结构及绝缘方法。

背景技术

离子源中设置有用于引出离子束的引出电极系统。该引出电极系统具有若干电极，一个电极通过绝缘体支承于其他电极或周围的结构物。

专利文献1：日本特开平2-72544号公报

专利文献2：日本特表昭63-502707号公报

通过离子束的原料和离子源的结构，具有导电性的污染粒子与离子束一同被引出。通过污染粒子的堆积，可在绝缘体的表面形成导电电路。有可能无法维持充分的绝缘，并防碍装置的正常运行。大量生成污染粒子时，要求以高频度来进行该绝缘部分的维护，装置的运转率下降。

发明内容

本发明的一方式的例示性的目的之一在于，提供一种有助于降低维护频度并提高装置运转率的绝缘结构及绝缘方法。

根据本发明的一方式，提供一种设置在用于从等离子体生成部引出离子束的多个电极之间的绝缘结构。所述多个电极具备第1电极、及被施加与该第1电极不同的电位的第2电极。所述绝缘结构具备：绝缘部件，具备连接于所述第1电极的第1部分及连接于所述第2电极的第2部分，且用于将所述第1电极支承于所述第2电极；第1保护部件，为了保护所述第1部分免受污染粒子的影响而包围所述第1部分的至少一部分；及第2保护部件，为了保护所述第2部分免受污染粒子的影响而包围所述第2部分的至少一部分。所述第1部分及所述第2部分的至少一个由可加工陶瓷或多孔陶瓷形成。

根据本发明的一方式，提供一种绝缘方法。本方法具备以下步骤：对第1电极与通过绝缘部件支承该第1电极的第2电极之间赋予电位差；使用第1电极及第2电极从等离子体生成部引出离子束；及使用保护部件来保护所述绝缘部件免受污染粒子的影响。所述绝缘部件具备：第1部分，连接于所述第1电极；及第2部分，连接于所述第2电极，所述第1部分及所述第2部分中的至少一个由可加工陶瓷或多孔陶瓷形成。

根据本发明的一方式，提供一种设置在用于从等离子体生成部引出离子束的多个电极之间的绝缘结构。所述多个电极具备第1电极、及被施加与该第1电极不同的电位的第2电极。所述绝缘结构具备：绝缘部件，用于将所述第1电极支承于所述第2电极；及保护部件，用于保护所述绝缘部件免受污染粒子的影响。所述保护部件具备吸附污染粒子的吸附面。

根据本发明的一方式，提供一种设置在用于从等离子体生成部引出离子束的多个电极之间的绝缘结构。所述多个电极具备第1电极、及被施加与该第1电极不同的电位的第2电极。所述绝缘结构具备用于将所述第1电极支承于所述第2电极的绝缘部件。所述绝缘部件具备第1电极侧的第1部分及第2电极侧的第2部分。所述第1部分及所述第2部分中的至少一个由可加工陶瓷或多孔陶瓷形成。

另外，在方法、装置、系统等之间相互置换以上构成要件的任意组合、本发明的构成要件和表现的方式，也作为本发明的方式是有效的。

发明效果：

根据本发明，能够提供一种有助于降低维护频度并提高装置运转率的绝缘结构及绝缘方法。

附图说明

图1是概略地表示本发明的一实施方式所涉及的离子注入装置的图。

图2是概略地表示本发明的一实施方式所涉及的离子源装置的图。

图3是概略地表示本发明的一实施方式所涉及的绝缘结构的剖视图。

图4是概略地表示本发明的另一实施方式所涉及的绝缘结构的剖视图。

图5是例示本发明的一实施方式中的抑制电流的曲线图。

图6是例示比较例中的抑制电流的曲线图。

图中：7-电弧室，16-衬垫，18-污染粒子，20-第1电极，22-第2电极，30-绝缘结构，32-绝缘部件，34-保护部件，36-抑制电极，39-第1定位凹部，42-接地电极，47-第2定位凹部，51-第1紧固部件，52-第1部分，54-第2部分，56-中间部分，68-第3凹部，70-第1罩体，72-第2罩体，74-第1接触部，77-第1罩体末端，78-第2接触部，79-第2罩体末端，84-第3间隙，100-离子注入装置，102-离子源装置，112-离子源，B-离子束。

具体实施方式

以下，参考附图对用于实施本发明的方式进行详细说明。另外，在附图说明中，对相同要件附加相同符号，并适当省略重复说明。并且，以下所述的结构为例示，并非对本发明的范围做任何限定。