[发明专利]绝缘结构及绝缘方法有效
申请号: | 201410158429.3 | 申请日: | 2014-04-18 |
公开(公告)号: | CN104217913B | 公开(公告)日: | 2018-02-16 |
发明(设计)人: | 佐藤正辉 | 申请(专利权)人: | 斯伊恩股份有限公司 |
主分类号: | H01J37/317 | 分类号: | H01J37/317 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人: | 徐殿军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 绝缘 结构 方法 | ||
1.一种绝缘结构,其设置在用于从等离子体生成部引出离子束的多个电极之间,所述绝缘结构的特征在于,
所述多个电极具备第1电极、及被施加与该第1电极不同的电位的第2电极,
所述绝缘结构具备:
绝缘部件,具备连接于所述第1电极的第1部分、及连接于所述第2电极的第2部分,且用于将所述第1电极支承于所述第2电极;
第1保护部件,为了保护所述第1部分免受污染粒子的影响而包围所述第1部分的至少一部分;及
第2保护部件,为了保护所述第2部分免受污染粒子的影响而包围所述第2部分的至少一部分,
所述第1部分及所述第2部分中的至少一个由可加工陶瓷或多孔陶瓷形成,
所述第1保护部件及所述第2保护部件中的至少一个,由石墨形成,并具备吸附污染粒子的多孔吸附面,所述多孔吸附面的粗糙系数在200以上。
2.根据权利要求1所述的绝缘结构,其特征在于,
所述可加工陶瓷或多孔陶瓷的维氏硬度在5GPa以下。
3.根据权利要求1或2所述的绝缘结构,其特征在于,
所述可加工陶瓷含有氮化硼。
4.根据权利要求1所述的绝缘结构,其特征在于,
所述多孔陶瓷含有多孔氧化铝。
5.根据权利要求1所述的绝缘结构,其特征在于,
所述绝缘部件在所述第1部分与所述第2部分之间具备中间部分,该中间部分在其表面具有凹部,
所述第1保护部件及所述第2保护部件配设成使允许污染粒子进入的间隙形成于所述第1保护部件与所述第2保护部件之间,所述凹部处于该间隙附近。
6.根据权利要求1所述的绝缘结构,其特征在于,
所述第1保护部件在所述第2保护部件与所述绝缘部件之间延伸,以遮挡从靠近所述第1电极的所述第2保护部件的末端朝向第1电极侧的绝缘部件末端的视线。
7.根据权利要求1所述的绝缘结构,其特征在于,
所述第1保护部件包围所述第1部分,且被支承于所述第1电极,
所述第2保护部件设置在所述第1保护部件的外侧,
所述第1电极相对于所述第2电极被施加负电位。
8.根据权利要求1所述的绝缘结构,其特征在于,
所述第1保护部件具备与所述第1部分接触的第1接触部,该第1接触部被夹在所述第1部分与所述第1电极之间,和/或
所述第2保护部件具备与所述第2部分接触的第2接触部,该第2接触部被夹在所述第2部分与所述第2电极之间。
9.根据权利要求8所述的绝缘结构,其特征在于,
所述第1电极具有适合于所述第1接触部的第1定位凹部,和/或
所述第2电极具有适合于所述第2接触部的第2定位凹部。
10.根据权利要求8或9所述的绝缘结构,其特征在于,
所述第1部分通过贯穿所述第1电极及所述第1接触部的第1紧固部件而被安装于所述第1电极,和/或
所述第2部分通过贯穿所述第2电极及所述第2接触部的第2紧固部件而被安装于所述第2电极。
11.根据权利要求1所述的绝缘结构,其特征在于,
所述等离子体生成部具备含有碳的内壁。
12.一种绝缘结构,其设置在用于从等离子体生成部引出离子束的多个电极之间,所述绝缘结构的特征在于,
所述多个电极具备第1电极、及被施加与该第1电极不同的电位的第2电极,
所述绝缘结构具备绝缘部件,该绝缘部件具备连接于所述第1电极的第1部分、及连接于所述第2电极的第2部分,所述第1部分及所述第2部分中的至少一个由可加工陶瓷或多孔陶瓷形成,
所述绝缘结构在所述第1电极侧具备用于保护所述绝缘部件免受污染粒子的影响的单一的保护部件,所述单一的保护部件由石墨形成,并具备吸附污染粒子的多孔吸附面,所述多孔吸附面的粗糙系数在200以上。
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