[发明专利]沉积设备在审
申请号: | 201410150441.X | 申请日: | 2014-04-15 |
公开(公告)号: | CN104109845A | 公开(公告)日: | 2014-10-22 |
发明(设计)人: | 程相慜;黄正宇 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/52 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘灿强;谭昌驰 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 沉积 设备 | ||
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本申请要求于2013年4月18日在韩国知识产权局提交的第10-2013-0043040号韩国专利申请的优先权和权益,该申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
描述的技术总体上涉及一种可将沉积材料沉积在膜上的沉积设备。
背景技术
在显示装置中,有机发光显示器具有宽的视角、优异的对比度和快速的响应速度,因此,它已经作为下一代显示装置引人注目。
有机发光二极管(OLED)显示器典型地包括第一电极、第二电极、设置在第一电极和第二电极之间的发射层以及包括该发射层的中间层。可使用各种方法形成第一电极、第二电极和中间层,在各种方法中,独立的沉积方法可被使用。
为了使用独立的沉积方法制造OLED显示器,将图案与薄膜的图案相同的精细金属掩模(FMM)紧密附着到期望形成薄膜的基底,并且沉积诸如薄膜的材料,从而形成具有预定图案的膜。
直到最近,通常使用精细金属掩模(FMM)形成有机薄膜,但是,如果玻璃基底的尺寸大于第六代基底的尺寸,则不能沉积精确的图案形状。
因此,激光诱导热成像(LITI)方法通过设置面对玻璃基底的供体膜并且照射激光束而作为比FMM更精确的形成有机材料的方法出现,最近,采用FMM方法和LITI方法二者的混合图案化系统(HPS)方法已经被研究和开发。
该背景技术部分中公开的以上信息只是为了增强对所描述的技术的背景的理解,因此以上信息可能包含不形成本领域普通技术人员在本国已经知道的现有技术的信息。
发明内容
根据本发明的一方面,提供了一种被构造为将沉积材料沉积在膜上的沉积设备。所述沉积设备包括:沉积室;沉积源,在沉积室中;膜固定部,被构造为固定膜,膜包括沉积材料沉积到的沉积表面;以及保护板,在沉积室中,被构造为防止沉积材料沉积到沉积室中的侧壁和上壁。尺寸与沉积表面上的有效膜形成区域对应的第一开口以及形成在有效膜形成区域的外部区域中的至少一个第二开口形成在保护板上,并且,通过所述至少一个第二开口的沉积材料在沉积表面上形成对准标记。
所述至少一个第二开口包括多个第二开口,所述多个第二开口可以邻近第一开口的外围周边设置。
第一开口可以以四边形的形状形成,所述多个第二开口可以邻近第一开口的角部设置。
第二开口中的每个可以以十字的形状形成。
膜固定部可以包括支撑膜的框架和将框架固定到沉积室的支撑体。
尺寸比沉积表面的有效膜形成区域宽的第三开口可以形成在框架中,并且当从沉积源观察时,第一开口和所述多个第二开口可以设置在第三开口中。
在这种情况下,沉积源可以设置在沉积室的底表面上。
膜固定部可以被设置在沉积室的上侧,保护板可以包括设置在膜固定部的下侧的第一保护板以及被构造为保护沉积室中的侧表面的第二保护板。
第一开口可以设置在沉积室的中心。
根据本发明的另一方面,公开了一种在膜上沉积沉积材料的方法。所述方法包括:在沉积室中放置沉积源;将膜固定在膜固定部上;通过沉积室中的保护板的第一开口将沉积材料沉积到膜的沉积表面上的有效膜形成区域上,而不将沉积材料沉积到沉积室中的侧壁和上壁;以及通过保护板的第二开口沉积沉积材料,以在有效膜形成区域的外部的沉积表面上形成对准标记。
所述方法可以包括通过邻近第一开口的周边设置的多个第二开口沉积沉积材料。
第一开口可以以四边形的形状形成,可以通过邻近第一开口的角部设置的多个第二开口来沉积沉积材料。
第二开口中的每个可以以十字的形状形成。
膜固定部可以包括支撑膜的框架和将框架固定到沉积室的支撑体。
所述方法还可以包括通过形成在框架中的尺寸比沉积表面的有效膜形成区域宽的第三开口来沉积沉积材料,并且当从沉积源观察时,第一开口和所述多个第二开口设置在第三开口中。
可以将沉积源设置在沉积室的底表面上。
可以在沉积室的上侧设置膜固定部,保护板可以包括设置在膜固定部的下侧的第一保护板以及被构造为保护沉积室中的侧表面的第二保护板。
第一开口可以设置在沉积室的中心。
沉积材料可以为有机材料。
根据本发明的实施例,沉积材料通过沉积源沉积到膜的沉积表面。在这种情况下,对准标记可以一起形成在除膜中的有效膜形成区域之外的区域中,从而可使用对准标记来更精确地测量膜的厚度。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的