[发明专利]大板加电线路及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示技术，尤其涉及一种大板加电线路设计及其制造方法。

背景技术

随着信息社会的发展，人们对显示设备的需求得到了增长。为了满足这种需求，最近几种平板显示设备，比方说：液晶显示器件（LCD），等离子体显示器件（PDP），有机发光二极管（OLED）显示器件都得到了迅猛的发展。在平板显示器件当中，液晶显示器件由于其重量低、体积小、能耗低的优点，正在逐步取代冷阴极显示设备。

但是最初出现的扭曲向列型（TN），超扭曲向列型（STN）液晶显示模式存在对比度低，视角差等问题点。随着人们生活水平的提高，对显示器件的要求也越来越高，所以以面内开关显示模式（IPS：In Plan Switch），垂直配向显示模式（VA：Vertical Alignment）等广视角显示技术得到了飞跃的发展。

对于面内开关显示模式，其具有非常好的广视角显示效果，但是为了实现较好的面内开关显示模式的显示效果，在其生产过程中，对于摩擦工序的要求也就非常的高，这在很大程度上造成其摩擦的工艺冗余度较小。在大规模生产过程中，容易时不时地出现相关的问题。

参见图1a及图1b，图1a为现有技术垂直配向模式不加电状态下示意图（配向层省略），图1b为现有技术垂直配向模式加电状态下示意图（配向层省略）。对于垂直配向显示模式而言，液晶显示器件主要由上基板111、下基板112，以及像夹心饼干一样嵌入在两个基板之间的负性液晶分子114组成。在上基板111、下基板112的内侧均有透明导电层（ITO：氧化铟锡）113，从而可以形成垂直电场；在两层透明导电层113之间嵌入的负性液晶分子114，是一种液晶分子长轴的介电常数小于垂直于液晶分子长轴的方向上的介电常数的液晶。如图1a所示，在没有垂直电场作用在负性液晶分子114上的情况下，负性液晶分子114垂直于基板表面取向，如图1b所示，当有垂直电场作用在负性液晶分子114上时，由于负性液晶分子114长轴的介电常数较小，所以负性液晶分子114在电场作用下，会发生特定方向的取向，最终垂直于电场方向排列。同面内开关（IPS）模式相比，垂直配向模式在生产过程中不需要摩擦工艺，所以大大提高了其在大规模生产上的优势。

参见图2a和图2b，图2a为现有技术多畴垂直配向模式不加电状态示意图（配向层省略），图2b为现有技术多畴垂直配向模式加电状态示意图（配向层省略）。最初的垂直配向模式是一种多畴垂直配向模式（MVA：Multi-domain Vertical Alignment），如图2a和图2b所示，对于多畴垂直配向模式而言，液晶显示器件主要由上基板111、下基板112，以及嵌入在两个基板之间的负性液晶分子114组成。在上基板111、下基板112的内侧均有透明导电层113，从而可以形成垂直电场，如图2a所示，在没有垂直电场作用的情况下，负性液晶分子114垂直于基板表面取向，如图2b所示，当有垂直电场作用时，负性液晶分子114在电场作用下垂直于电场方向排列。这种模式的特点是通过在彩膜侧的上基板111制作一定形状的突起（Rib）115，实现多畴显示（一般是4畴）。这种方式进一步改善了垂直配向模式的视角特性。但是也存在相关的问题：由于彩膜侧的突起115，使突起115周围一定范围内的负性液晶分子114并没有实现较好的垂直取向，所以即使在正视野，也存在较大的漏光，影响了多畴垂直配向模式对比特性的提高。

随着技术的发展，出现了相关的改进，图形化垂直配向模式（PVA：Patterned Vertical Alignment），其特点是不需要制作彩膜侧突起，而是在彩膜侧透明电极（ITO：氧化铟锡）上制作对应的ITO裂缝（Slit）等图形（Pattern），裂缝的宽度通常8～15微米左右，实现多畴显示。如图3a和图3b所示，图3a为现有技术图形化垂直配向模式不加电状态示意图（配向层省略），图3b为现有技术图形化垂直配向模式加电状态示意图（配向层省略）；对于图形化垂直配向模式而言，液晶显示器件主要由上基板111、下基板112，以及嵌入在两个基板之间的负性液晶分子114组成。在上基板111、下基板112的内侧均有透明导电层113，从而可以形成垂直电场，如图3a所示，在没有垂直电场作用的情况下，负性液晶分子114垂直于基板表面取向，如图3b所示，当有垂直电场作用时，负性液晶分子114在电场作用下垂直于电场方向排列。这种模式的特点是在彩膜侧的上基板111制作对应的ITO裂缝116，这种方法克服了彩膜侧的突起，大幅度减少了相应的漏光。