[发明专利]显示装置及电子设备

说明书

本发明的显示装置，包括：像素部（104）；以及设置在所述像素部（104）外侧的驱动电路部（106），其中，所述像素部包括像素晶体管、覆盖所述像素晶体管且包含无机材料的第一绝缘层（122）、设置在所述第一绝缘层上且包含有机材料的第二绝缘层（124）、设置在所述第二绝缘层上且包含无机材料的第三绝缘层（128），所述驱动电路部包括对所述像素晶体管供应信号的驱动晶体管、覆盖所述驱动晶体管的所述第一绝缘层，并且，在所述驱动电路部中没有形成所述第二绝缘层。从而在抑制晶体管的电特性变动的同时，提高其可靠性。

技术领域

本发明涉及显示装置及电子设备。

背景技术

近年来，对使用液晶面板的显示装置或使用有机EL面板的显示装置的研究开发日益火热。这种显示装置大致分为如下两种：一是只将像素控制用晶体管（像素晶体管）形成在衬底上，而扫描电路（驱动电路）形成在外围IC上的显示装置；二是像素晶体管和扫描电路都形成在同一衬底上的显示装置。

为了实现显示装置的窄边框化或降低外围IC的成本，优选使用驱动电路整合型显示装置。但是，用于驱动电路的晶体管所需的电特性（如场效应迁移率（μFE）或阈值电压等）高于像素晶体管所需的电特性。

作为可以应用于晶体管的半导体薄膜，硅类半导体材料被广泛地周知，但是作为其他材料，氧化物半导体受到关注（例如，专利文献1及2）。例如，作为用于晶体管的半导体薄膜使用电子载流子浓度低于10¹⁸/cm³的包含铟（In）、镓（Ga）及锌（Zn）的非晶氧化物的晶体管受到关注。

因为将氧化物半导体用于半导体层的晶体管的场效应迁移率高于将作为硅类半导体材料的非晶硅用于半导体层的晶体管，所以其工作速度快，适合用于驱动电路整合型显示装置，并且其制造工序比将多晶硅用于半导体层的晶体管更简单。

但是，将氧化物半导体用于半导体层的晶体管有如下问题：氢、水分等杂质侵入氧化物半导体而形成载流子，这使得该晶体管的电特性之一的阈值电压发生变动。

[专利文献1] 日本专利申请公开2007-123861号公报；

[专利文献2] 日本专利申请公开2007-096055号公报。

为了充分保持其沟道形成在氧化物半导体层中的晶体管的电特性，从该氧化物半导体层尽量排除氢、水分等是很重要的。

尤其是，在将其沟道形成在氧化物半导体层中的晶体管用于显示装置的像素部以及设置在该像素部外侧的驱动电路部的两者中的情况下，虽然根据驱动方法而不同，但是因为用于驱动电路部的晶体管的电负荷大于用于像素部的晶体管，所以用于驱动电路部的晶体管的电特性很重要。

另外，在将其沟道形成在氧化物半导体层中的晶体管用于像素部及驱动电路部的显示装置中，有如下问题：在高温高湿的环境下的可靠性试验中，用于驱动电路部的晶体管（也称为驱动晶体管）劣化。该驱动晶体管劣化的原因是：从为了减少晶体管的凹凸而设置的有机材料中有可能释放出的水分等无法释放到外部，而侵入到氧化物半导体层中，使得该氧化物半导体层的载流子密度增高。

另外，从显示装置外部侵入的水分进入驱动晶体管的氧化物半导体层而导致该驱动晶体管的劣化也是上述驱动晶体管的劣化原因之一。

发明内容

鉴于上述问题，本发明的一个方式的课题之一是：在将其沟道形成在氧化物半导体层中的晶体管用于像素部及驱动电路部的显示装置中，在抑制该晶体管的电特性变动的同时，提高其可靠性。尤其是，本发明的一个方式的课题之一是：在抑制氢或水分进入用于驱动电路部的晶体管的氧化物半导体层且抑制其电特性变动的同时，提高其可靠性。

在驱动晶体管上不形成包含有可能释放水分等杂质的有机材料的绝缘层。

以下说明本发明的各种方式。