[发明专利]一种阵列基板的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种液晶显示设备中的阵列基板的制造方法。

背景技术

当前，液晶显示器作为平板显示器的一种已被广泛地应用在各个领域中，它具有低功耗、薄形质轻等优点。通常来说，液晶显示器包括一液晶面板，该液晶面板包括具有像素电极的薄膜晶体管阵列基板（array substrate）、具有公共电极的彩色滤光片基板（color filter substrate）以及填充在薄膜晶体管阵列基板和彩色滤光片基板之间的液晶层。由于像素电极和公共电极各自所施加的电压不同从而会产生垂直电场，通过这两个电极控制施加到液晶层的电场强度以便控制入射光的透射率，进而实现对液晶面板亮与暗的控制。

在现有技术中，薄膜晶体管阵列基板的一种设计方案是采用PSA（Polymer Sustained Alignment，聚合物稳定配向）技术，利用UV光线控制液晶分子的配向，不仅可省去突起和狭缝，还可改善液晶分子的偏转速度，最快可达到4ms，提升了像素开口率。另一设计方案是采用TDE（Three Dimensionally shaped pixel Electrode，三维形状的像素电极）技术，在玻璃基板上形成一栅极绝缘层，然后在栅极绝缘层的上方形成一图案化的保护层（patterned passivation layer），再将像素电极层覆盖于该图案化保护层。相比于PSA技术，当液晶分子的间隙（gap）较小时，TDE技术仍然可实现较高的穿透率。

此外，在液晶显示器的生产过程中，某些像素无法正常显示，导致像素的点缺陷。一般来说，点缺陷可分为亮点和暗点，为了确保液晶面板的显示品质，通常在完成阵列基板和彩色滤光片基板的制作工序后将会进行全黑画面检查和全白画面检查，以发现液晶面板的点缺陷。由于人眼对亮点非常敏感且易于辨认，因此往往针对最暗灰阶L0来观看是否存在漏光现象。在现有的TDE制程中，尤其是保护层透过干蚀刻工艺形成预设图案时，图案化保护层的图案边缘与水平方向的夹角往往较平缓（诸如70度），进而在该位置附近出现了明显的漏光情形。实验数据表明，当保护层的厚度为0.2um时，其图案边缘处的对比度从4220急剧下降至1316；当保护层的厚度为0.5um时，其图案边缘处的对比度从4220更下降为625。

有鉴于此，如何设计一种新颖的阵列基板的制造方法，或者对现有的阵列基板制程进行改进，以改善保护层的图案边缘附近的L0漏光情形，提升入射光穿透率，是业内相关技术人员亟待解决的一项课题。

发明内容

针对现有技术中的阵列基板的制造方法在保护层的图案边缘附近出现L0漏光等缺陷，本发明提供了一种阵列基板的制造方法。

依据本发明的一个方面，提供了一种阵列基板的制造方法，包括以下步骤：

依次形成一金属层、一栅极绝缘层、一半导体层和一第一保护层，其中，该金属层位于基板的上方且包括一栅极，该栅极绝缘层位于该金属层的上方，该半导体层位于该栅极绝缘层的上方，该半导体层包括一通道区及该通道区两相对侧的一漏极和一源极，该第一保护层位于该栅极绝缘层和该半导体层的上方；

形成一导电薄膜层于该第一保护层的上方；

形成一图案化的第二保护层于该导电薄膜层的上方，其中，该第二保护层的图案边缘呈陡峭状；

形成一通孔于该第二保护层与该第一保护层的接触面；以及

形成一像素电极层于所述第二保护层的上方。

在其中的一实施例，上述形成图案化的第二保护层的步骤还包括：形成一平坦的第二保护层于该导电薄膜层的上方；沉积一图案化的硬掩膜层于所述第二保护层的上方；以及对所述第二保护层进行干蚀刻，以形成所述图案化的第二保护层。

在其中的一实施例，所述硬掩膜层由透明导电氧化物或透明氧化物半导体构成。

在其中的一实施例，所述硬掩膜层的材质为氧化铟锡或氧化铟镓锌。

在其中的一实施例，于上述形成所述图案化的第二保护层的步骤之后，还包括对所述硬掩膜层进行湿蚀刻以移除所述硬掩膜层的步骤。

在其中的一实施例，所述第二保护层的材质为氧化硅、氮氧化硅或氮化硅。

在其中的一实施例，该第二保护层的图案边缘与水平方向的夹角不小于85度。进一步，该第二保护层的图案边缘与水平方向的夹角为89.9度。

在其中的一实施例，所述阵列基板适于一平面显示设备。