[发明专利]一种阵列基板的制造方法在审
| 申请号： | 201410140752.8 | 申请日： | 2014-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN103972167A | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | 杜振源;林巧雯;曾贤楷;张家铭;叶昭纬;丁天伦;林俊男 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 阵列 制造 方法 | ||
1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，该制造方法包括以下步骤：
依次形成一金属层、一栅极绝缘层、一半导体层和一第一保护层，其中，该金属层位于基板的上方且包括一栅极，该栅极绝缘层位于该金属层的上方，该半导体层位于该栅极绝缘层的上方，该半导体层包括一通道区及该通道区两相对侧的一漏极和一源极，该第一保护层位于该栅极绝缘层和该半导体层的上方；
形成一导电薄膜层于该第一保护层的上方；
形成一图案化的第二保护层于该导电薄膜层的上方，其中，该第二保护层的图案边缘呈陡峭状；
形成一通孔于该第二保护层与该第一保护层的接触面；以及
形成一像素电极层于所述第二保护层的上方。
2.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，上述形成图案化的第二保护层的步骤还包括：
形成一平坦的第二保护层于该导电薄膜层的上方；
沉积一图案化的硬掩膜层于所述第二保护层的上方；以及
对所述第二保护层进行干蚀刻，以形成所述图案化的第二保护层。
3.根据权利要求2所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述硬掩膜层由透明导电氧化物或透明氧化物半导体构成。
4.根据权利要求3所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述硬掩膜层的材质为氧化铟锡或氧化铟镓锌。
5.根据权利要求2至4中任意一项所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，于上述形成所述图案化的第二保护层的步骤之后，还包括步骤：
对所述硬掩膜层进行湿蚀刻，以移除所述硬掩膜层。
6.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述第二保护层的材质为氧化硅、氮氧化硅或氮化硅。
7.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，该第二保护层的图案边缘与水平方向的夹角不小于85度。
8.根据权利要求7所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，该第二保护层的图案边缘与水平方向的夹角为89.9度。
9.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述阵列基板适于一平面显示设备。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
