[发明专利]抗辐照双极器件及该器件的制备方法

权利要求书

1.抗辐照双极器件，其特征在于：在基区表面设置有以发射区为中心的高掺杂浓度区，所述高掺杂浓度区的掺杂浓度为体区掺杂浓度的10～10000倍。

2.根据权利要求1所述的抗辐照双极器件，其特征在于：所述的高掺杂浓度区为多环式高掺杂浓度区。

3.根据权利要求2所述的抗辐照双极器件，其特征在于：所述的多环式高掺杂浓度区的深度为发射区深度的1/20～1/5，环的宽度为0.01～10um，内环边界距发射区边界的最小距离为0.01～10um，相邻两个环的间距为0.1～10um，环的个数为1～10个。

4.根据权利要求1所述的抗辐照双极器件，其特征在于：所述的高掺杂浓度区为长方形栅格式高掺杂浓度区。

5.根据权利要求4所述的抗辐照双极器件，其特征在于：所述的长方形栅格式高掺杂浓度区的深度为发射区深度的1/20～1/5，长方形栅格的长度和宽度均为0.01～10um，长方形栅格距发射区边界最小距离为0.01～10um，相邻两个长方形栅格的间距为0.1～10um，栅格的行数和列数均为2～100个。

6.权利要求1所述的抗辐照双极器件的制备方法，其特征在于：在完成基区扩散或离子注入后，在进行发射区扩散或离子注入前，进行抗辐照加固方法，所述抗辐照加固方法通过以下步骤实现：

步骤一、在基区掩膜版的基础上，制备基区表面掺杂掩膜版；

步骤二、基于该掩膜板向基区表面注入与基区体内相同的杂质离子，注入深度为发射区深度的1/20～1/5，注入浓度为体区浓度的10～10000倍；

步骤三、完成注入后，进行退火处理，退火温度与基区体扩散或注入时的退火温度相同，退火时间与基区体扩散或注入时的退火时间相同。

7.根据权利要求6所述的抗辐照双极器件的制备方法，其特征在于：步骤一所述的基区表面掺杂掩膜版为多环式掩膜版。

8.根据权利要求7所述的抗辐照双极器件的制备方法，其特征在于：所述的多环式掩膜版的环的宽度为0.01～10um，内环边界距发射区边界的最小距离为0.01～10um，相邻两个环的间距为0.1～10um，环的个数为1～10个。

9.根据权利要求6所述的抗辐照双极器件的制备方法，其特征在于：步骤一所述的基区表面掺杂掩膜版为长方形栅格式掩膜版。

10.根据权利要求9所述的抗辐照双极器件的制备方法，其特征在于：所述的长方形栅格式掩膜版的长方形栅格的长度和宽度均为0.01～10um，长方形栅格距发射区边界最小距离为0.01～10um，相邻两个长方形栅格的间距为0.1～10um，栅格的行数和列数均为2～100个。