[发明专利]一种ETOXNOR型闪存的结构及其制作方法

权利要求书

1.一种ETOX NOR型闪存的结构，其特征在于，包括：

P型衬底；

位于所述P型衬底中的深N型阱区和P型阱区，其中，所述P型阱区位于所述深N型阱区上；

位于所述P型阱区中的第一沟槽；

位于所述P型阱区中的表面沟道层，以及衬在所述第一沟槽的内壁和覆盖在所述表面沟道层的表面的隧道氧化层；

位于所述隧道氧化层上的浮栅和位于所述隧道氧化层下的有源区；以及

位于所述浮栅上的多晶硅间电介质层和位于所述多晶硅间电介质层上的控制栅；

所述第一沟槽的深度为500埃到2000埃。

2.根据权利要求1所述的ETOX NOR型闪存的结构，其特征在于，所述P型衬底为P型硅衬底。

3.根据权利要求1所述的ETOX NOR型闪存的结构，其特征在于，所述隧道氧化层的材料为二氧化硅。

4.一种ETOX NOR型闪存的结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供一P型衬底；

在所述P型衬底中依次形成深N型阱区和P型阱区，其中，所述P型阱区在所述深N型阱区上；

对所述P型阱区进行刻蚀，形成第一沟槽；

在所述P型阱区中形成表面沟道层，然后形成隧道氧化层，其中，所述隧道氧化层衬在所述第一沟槽的内壁以及覆盖在所述表面沟道层的表面；

依次在所述隧道氧化层上形成浮栅和在所述隧道氧化层下形成有源区；以及

在所述浮栅上依次形成多晶硅间电介质层和控制栅；

所述第一沟槽的深度为500埃到2000埃。

5.根据权利要求4所述的ETOX NOR型闪存的结构的制作方法，其特征在于，对所述P型阱区进行刻蚀，形成第一沟槽，包括：

在所述P型阱区上形成光刻胶层；

对所述光刻胶层进行光刻，露出部分P型阱区；

对露出的部分P型阱区进行刻蚀，形成第一沟槽；

去除所述光刻胶层。

6.根据权利要求5所述的ETOX NOR型闪存的结构的制作方法，其特征在于，所述P型衬底为P型硅衬底。

7.根据权利要求5所述的ETOX NOR型闪存的结构的制作方法，其特征在于，所述隧道氧化层的材料为二氧化硅。