[发明专利]晶圆位置倾斜的侦测方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及在晶圆需要进行烘烤过程中，一种晶圆位置倾斜的侦测方法。

背景技术

在半导体制程过程中，例如光刻工艺中，就需要对晶圆进行烘烤，在这些涉及热量变化的过程里，晶圆的受热的均匀程度对后续工艺有着直接的影响，例如晶圆受热不均匀会导致CD的均一性（uniformity），严重的影响着产品的良率，甚至能够引发报废。

晶圆受热的均匀性与晶圆位置是否倾斜是直接相关的，如图1和图2所示，晶圆2在热板1上的位置包括正常放置和倾斜放置，在如图2的情况下，晶圆发生倾斜，就会导致温度异常。但是目前在生产线上还没有一种侦测晶圆是否发生倾斜的手段。通常的检测方法只是通过OCAP的统计和对产品的加量（add measurement），来获悉产品是否收到影响，然而由于这是后期操作，对于已经受到影响的产品不能够及时的获悉。

因此，如何改善这一状况，已成为亟待解决的问题。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种晶圆位置倾斜的侦测方法，以快速有效的检测晶圆位置是否倾斜。

为解决上述技术问题，本发明提供一种晶圆位置倾斜的侦测方法，用于在判断晶圆在接受烘烤时位置是否正确，包括：

放置晶圆于热板上；

保持晶圆加热一时间段，实时侦测并记录在这一时间段中每个设定时刻的热板上的最大温度差；

比较在所述时间段中的最大温度差是否超过设定值，若最大温度差小于设定值，则所述晶圆倾斜。

可选的，对于所述的晶圆位置倾斜的侦测方法，所述设定值为1℃。

可选的，对于所述的晶圆位置倾斜的侦测方法，所述时间段为30s～60s。

可选的，对于所述的晶圆位置倾斜的侦测方法，将在所述时间段中的最大温度差是否超过设定值的比较结果传送至IEMS系统。

可选的，对于所述的晶圆位置倾斜的侦测方法，若所述时间段中的最大温度差小于设定值，则IEMS系统将产品扣留；若所述时间段中的最大温度差大于等于设定值，则晶圆位置正常，并确认放行。

可选的，对于所述的晶圆位置倾斜的侦测方法，所述最大温度差为在所述时间段中侦测的温度中最高温度与最低温度的差。

可选的，对于所述的晶圆位置倾斜的侦测方法，所述热板的温度范围是90°～150°。

与现有技术相比，本发明提供的晶圆位置倾斜的侦测方法中，通过在晶圆加热过程中，记录处在该时间段内相应时刻的热板上的最大温度差，并比较所述最大温度差与设定值的关系，从而反映出晶圆是否倾斜。相比现有技术，本发明的方法直接有效，能够实时的通过热板上温度的情况反映出是否倾斜；进一步的，通过IEMS系统的控制，能够直接检测出发生的产品，从而及时进行处理，将损失尽可能的降低。

附图说明

图1为现有技术及本发明中晶圆位置正常的示意图；

图2为本发明中及本发明中晶圆位置倾斜的示意图；

图3为本发明中晶圆位置倾斜的侦测方法的流程图。

具体实施方式

下面将结合示意图对本发明的晶圆位置倾斜的侦测方法进行更详细的描述，其中表示了本发明的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本发明，而仍然实现本发明的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本发明的限制。

为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细描述公知的功能和结构，因为它们会使本发明由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中，必须做出大量实施细节以实现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有关商业的限制，由一个实施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费时间的，但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。

在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本发明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。

本发明的核心思想在于，提供一种晶圆位置倾斜的侦测方法，用于在判断晶圆在接受烘烤时位置是否正确，包括：放置晶圆于热板上；保持晶圆加热一时间段，实时侦测并记录在这一时间段中晶圆上的最大温度差；比较在所述时间段中的最大温度差是否超过设定值，若最大温度差小于设定值，则所述晶圆倾斜。