[发明专利]晶圆位置倾斜的侦测方法在审
| 申请号： | 201410123948.6 | 申请日： | 2014-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN104952752A | 公开（公告）日： | 2015-09-30 |
| 发明（设计）人： | 王跃刚;易旭东;杨晓松;吴刚 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 位置 倾斜 侦测 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶圆位置倾斜的侦测方法，用于在判断晶圆在接受烘烤时位置是否正确，包括：
放置晶圆于热板上；
保持晶圆加热一时间段，实时侦测并记录在这一时间段中热板上的最大温度差；
比较在所述时间段中的最大温度差是否超过设定值，若最大温度差小于设定值，则所述晶圆倾斜。
2.如权利要求1所述的晶圆位置倾斜的侦测方法，其特征在于，所述设定值为1℃。
3.如权利要求2所述的晶圆位置倾斜的侦测方法，其特征在于，所述时间段为30s～60s。
4.如权利要求3所述的晶圆位置倾斜的侦测方法，其特征在于，将在所述时间段中的最大温度差是否超过设定值的比较结果传送至IEMS系统。
5.如权利要求4所述的晶圆位置倾斜的侦测方法，其特征在于，若所述时间段中的最大温度差小于设定值，则IEMS系统将产品扣留；若所述时间段中的最大温度差大于等于设定值，则晶圆位置正常，并确认放行。
6.如权利要求1所述的晶圆位置倾斜的侦测方法，其特征在于，所述最大温度差为在所述时间段中侦测的温度中最高温度与最低温度的差。
7.如权利要求1所述的晶圆位置倾斜的侦测方法，其特征在于，所述热板的温度范围是90°～150°。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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