[发明专利]供气装置的控制方法以及基板处理系统

说明书

一种供气装置的控制方法以及基板处理系统。该供气装置具备汽化器、载气供给源以及供气通路。该供气装置的控制方法具有如下工序：向上述汽化器的原料容器的内部供给液体或者固体的原料的工序；在上述原料容器的内部使上述原料汽化来产生原料气的工序；对收容上述液体或者固体的原料的上述原料容器的内部进行排气的工序；从上述载气供给源向上述原料容器的内部供给载气的工序；以及从上述原料容器经由上述供气通路向对被处理基板实施处理的处理室通过上述载气输送上述原料气的工序。

本公开基于2013年3月28日申请的日本专利申请第2013-069973号的优先权的权益，将该日本申请的所有内容作为参考文献引用到本申请。

技术领域

本公开涉及一种供气装置的控制方法以及基板处理系统。

背景技术

在LSI(Large Scale Integration：大规模集成)制造工艺等的电子产品的制造工艺中进行薄膜的成膜处理。作为薄膜的成膜方法，广泛采用了基于干式(气相)处理的成膜。在干式处理中，成为薄膜的原料的原料气供给至基板处理系统的处理室内，在加载到处理室内的例如硅晶片等被处理基板上形成薄膜。

薄膜的原料有常温下为气体的原料以及常温下为液体、固体的原料两种。在前者的情况下，只要直接以原料气供给至处理室内即可。但是，在后者的情况下，在供给至处理室内之前必须使液体、固体的原料汽化。为此，额外需要具备使液体、固体的原料汽化来产生原料气体的汽化器的供气装置。

在这种供气装置中，液体或固体的原料被引入原料容器内，在原料容器内被汽化。原料容器起到汽化器的作用。通过送入到原料容器内的载气而向供气通路内压送在原料容器内汽化的原料(以下称为原料气)。通过载气在供气通路内输送被压送的原料气而供给至处理室内。

发明内容

发明要解决的问题

接着，在处理室内进行成膜处理。这种情况下的向处理室内的原料气供给量由原料容器内的原料气的每单位时间的产生量和送入到原料容器内的载气的流量来决定。原料气的供给量的调节是例如按每个工艺使成膜的薄膜的膜厚的均匀性、成膜速率等最优化的重要因素之一。

原料气的每单位时间的产生量主要由原料容器的加热温度的高低(温度控制)来决定，载气的流量由流量控制器的流量的增减(流量控制)来决定。

然而，确认了如下情况：当在按每个工艺最优化原料气的供给量的基础上增加载气的流量时，例如在成膜处理中有“处理室内产生的粒子增加”这样的倾向。当粒子增加时，粒子附着在成膜的薄膜上或粒子被捕获到成膜的薄膜中。因此，导致成膜的薄膜的品质劣化。

本公开提供一种在汽化器内使液体或者固体的原料汽化来产生原料气的供气装置中即使增加送入到汽化器内的载气的流量也能够抑制粒子的增加的供气装置的控制方法以及具备执行该控制方法的供气装置的基板处理系统。

另外，本公开提供一种抑制膜厚的偏差且能够进行膜厚薄的薄膜向被处理基板上的成膜的供气装置的控制方法以及具备执行该控制方法的供气装置的基板处理系统。

用于解决问题的方案

本公开的第一方式涉及供气装置的控制方法，该供气装置具备汽化器、载气供给源以及供气通路，该控制方法的特征在于，具有如下工序：向上述汽化器的原料容器的内部供给液体或者固体的原料的工序；在上述原料容器的内部使上述原料汽化来产生原料气的工序；对收容上述液体或者固体的原料的上述原料容器的内部进行排气的工序；从上述载气供给源向上述原料容器的内部供给载气的工序；以及从上述原料容器经由上述供气通路向对被处理基板实施处理的处理室通过上述载气输送上述原料气的工序。