[发明专利]支撑单元及包括该单元的基板处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及基板处理装置，详细地涉及利用等离子体的基板处理装置。

背景技术

为了制造半导体元件而对基板实施光刻、蚀刻、灰化、注入离子、沉积薄膜以及清洗等多种工序，从而在基板上形成所需的图案。其中，蚀刻工序是去除形成在基板上的膜中被选择的区域的工序，其使用湿式蚀刻和干式蚀刻。

其中，利用等离子体的蚀刻装置用于干式蚀刻。通常，为了形成等离子体而在腔体的内部空间中形成电磁场，电磁场使向腔体内提供的处理气体激发为等离子体状态。

等离子体是指由离子或电子、自由基等构成的被离子化的气体状态。等离子体根据非常高的温度、强电场或高频电磁场（RF Electromagnetic Fields）而生成。在半导体元件制造工序中使用等离子体来实施蚀刻工序。蚀刻工序是通过等离子体所包含的离子粒子撞击基板而实施的。

在利用等离子体的基板处理工序中，基板被支撑单元的上表面支撑。为了在基板处理工序中调节温度，基板与支撑单元相互发生热移动，从而基板的温度得以调节。在支撑单元的上表面形成有一个或多个槽。向支撑单元上表面的槽提供热传递气体。在基板，热通过向支撑单元与基板接触的部分和支撑单元上表面的槽提供的热传递气体而移动，从而温度得以调节。

发明内容

本发明的一目的在于，提供一种在利用等离子体的基板处理工序中能够调节基板的各区域温度的支撑单元及包括该单元的基板处理装置。

本发明所要解决的技术问题并不限于上述的问题，所属技术领域的技术人员能够根据本说明书和附图明确地理解未在上面说明的技术问题。

本发明提供基板处理装置。

根据本发明的一实施例的基板处理装置包括：在内部具有处理空间的腔体；位于上述腔体内并且支撑基板的支撑单元；向上述处理空间供给处理气体的气体供给单元；以及根据上述处理气体产生等离子体的等离子体源，在上述支撑单元的上表面形成有环状的突起，并且上述支撑单元包括:位于上述突起内侧的内侧槽；位于上述突起外侧的外侧槽；以及向上述内侧槽和上述外侧槽提供热传递气体的热传递气体供给线，上述内侧槽与上述外侧槽的深度互相不同。

上述内侧槽位于中心区域并形成为圆形形状，上述外侧槽能够形成为环形的圈（ring）形状。

上述内侧槽和上述外侧槽能够在其内部分别包括多个突出部。

上述突起的上端和上述突出部的上端能够形成在同一高度。

在上方观察时，上述内侧槽的面积能够比上述外侧槽的面积宽。

上述外侧槽的深度能够比上述内侧槽的深度深。

上述外侧槽的体积能够比上述内侧槽的体积大。

上述外侧槽的体积能够与上述内侧槽的体积相同。

上述热传递气体供给线能够包括与上述内侧槽连接的第1热传递气体供给线和与上述外侧槽连接的第2热传递气体供给线。

上述支撑单元能够包括静电夹头。

上述热传递气体能够包括氦。

根据本发明的另一实施例的基板处理装置包括：在内部具有处理空间的腔体；位于上述腔体内并且支撑基板的支撑单元；向上述处理空间供给处理气体的气体供给单元；以及根据上述处理气体产生等离子体的等离子体源，在上述支撑单元的上表面形成有被供给热传递气体的互相分割的多个槽，并且上述支撑单元包括与上述槽连接并向上述槽供给热传递气体的热传递气体供给线，上述多个槽中的一部分槽的深度不同。

上述多个槽能够在其内部分别包括多个突出部。

上述多个槽中的一部分槽的体积能够互相不同。

在上方观察时，上述多个槽中的一部分槽的面积能够不同。

上述热传递气体供给线与上述多个槽的数量相同，上述热传递气体供给线能够分别与上述多个槽连接。

此外，本发明提供支撑单元。

根据本发明的一实施例的支撑单元是在实施基板处理工序的腔体内部支撑基板的支撑单元，在上述支撑单元，在其上表面形成有圈形状的突起，并且包括位于上述突起内侧的内侧槽和位于上述突起外侧的外侧槽以及向上述内侧槽与上述外侧槽提供热传递气体的热传递气体供给线，上述内侧槽与上述外侧槽的深度互相不同。

上述内侧槽位于中心区域并形成为圆形形状，上述外侧槽能够形成为环形的圈形状。

上述内侧槽和上述外侧槽能够在其内部分别包括多个突出部。

上述突起的上端和上述突出部的上端能够形成在相同的高度。

在上方观察时，上述内侧槽的面积能够比上述外侧槽的面积宽。

上述外侧槽的深度能够比上述内侧槽的深度深。