[发明专利]一种直接制备含有羟基磷灰石的微弧氧化陶瓷膜的方法有效
| 申请号: | 201410118521.7 | 申请日: | 2014-03-27 |
| 公开(公告)号: | CN103898591A | 公开(公告)日: | 2014-07-02 |
| 发明(设计)人: | 杨钢;严继康;唐婉霞;吴云峰;黄思仁;倪尔鑫;施哲;方树铭 | 申请(专利权)人: | 昆明冶金研究院 |
| 主分类号: | C25D11/26 | 分类号: | C25D11/26 |
| 代理公司: | 昆明知道专利事务所(特殊普通合伙企业) 53116 | 代理人: | 姜开侠 |
| 地址: | 650031 *** | 国省代码: | 云南;53 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 直接 制备 含有 羟基 磷灰石 氧化 陶瓷膜 方法 | ||
技术领域
本发明属于生物医用植入材料表面处理技术领域,具体涉及一种直接制备含有羟基磷灰石的微弧氧化陶瓷膜的方法。
背景技术
钛及钛合金的重量轻、比强度高,弹性模量小(约为其它医用材料的一半),与人体硬组织的弹性模量比较匹配,并且具有一定的生物相容性,在人体液环境下具有良好的耐腐蚀性,其植入人体后,具有较好的力学性能、耐腐蚀性能和组织反应小等优点,符合人体生物植入材料的要求,一直被人们用作骨骼植入和修复的主要材料之一。随着科学技术发展、人口老龄化以及工业、交通、体育等导致的骨创伤增加,人们对生物医用材料及其制品的需求越来越大。但工业用钛为金属生物惰性材料,对机体组织的愈合无明显促进作用,愈合时间较长,钛及其合金的耐磨损性能差,生成的磨屑游离于植入体附近,容易引起炎症。于是为了提高钛合金材料的生物相容性,常采用含有钙磷元素的电解液来进行微弧氧化处理,使得钛合金表面生成含有较多的磷钙化合物及羟基磷灰石的微孔结构,以减少血小板黏附和血栓的形成,促进骨组织的早期生长。
羟基磷灰石(HAP)是脊椎动物骨骼和牙齿的主要组成,人的牙釉质中羟基磷灰石的含量在96%以上。羟基磷灰石具有优良的生物相容性,并可作为一种骨骼或牙齿的诱导因子,同时也是人体骨骼组织主要成分,植入体内后,钙和磷会游离出材料表面被身体组织吸收,并生长出新的组织。
羟磷灰石粉末的的制备方法很多,比较常见的方法有沉淀法、水解法、水热法及固相法等。其中水热法的设备适比较复杂而且昂贵。相较于水热法,沉淀法则是操作简单、设备便宜、产能大,目前大多数以此种方法为主。但是沉淀法有一些缺点,像是粉末容易聚集在一起、质量不稳定等。为此,研发一种直接制备含有羟基磷灰石的微弧氧化陶瓷膜方法具有十分重要的意义。
发明内容
本发明的目的在于提供一种直接制备含有羟基磷灰石的微弧氧化陶瓷膜方法,以改善钛合金表面陶瓷膜层生物相容性不良的问题。
本发明的目的是这样实现的,包括如下步骤:
A、预处理:将钛合金Ti6Al4V切割成圆柱形钛材,在试样的上方打孔,对钛合金进行表面打磨处理至试样表面无划痕,然后再进行除油、碱洗及去离子水洗,自然烘干备用;
B、微弧氧化:将A步骤预处理制备的圆柱形钛材悬挂于电解液中,进行微弧氧化,所用电源为脉冲电源,电源电压450~475V,频率为900~1200HZ;
C、将微弧氧化处理后的试样用去离子水清洗后烘干得到含有羟基磷灰石的微弧氧化陶瓷膜。
本发明的微弧氧化膜层与钛合金基体表面形成冶金结合,表面陶瓷膜为含有羟基磷灰石的多孔结构,具有较好的生物相容性,能够促进骨组织的早期生长,可作为骨骼植入和修复的主要材料处理方法之一。
附图说明
图1为本发明的工艺流程图。
图2为本发明的实验XRD检测结果图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步说明,但不以任何方式对本发明加以限制,基于本发明教导所作的任何变换,均落入本发明保护范围。
本发明采用微弧氧化制备含有羟基磷灰石的微弧氧化多孔陶瓷膜,包括如下步骤:
A、预处理:将钛合金Ti6Al4V切割成圆柱形钛材,在试样的上方打孔,对钛合金进行表面打磨处理至试样表面无划痕,然后再进行除油、碱洗及去离子水洗,自然烘干备用;
B、微弧氧化:将A步骤预处理制备的圆柱形钛材悬挂于电解液中,进行微弧氧化,所用电源为脉冲电源,电源电压450~475V,频率为900~1200HZ;
C、将微弧氧化处理后的试样用去离子水清洗后烘干得到含有羟基磷灰石的微弧氧化陶瓷膜。
所述A步骤的除油剂为无水乙醇或丙酮。
所述A步骤的碱洗液为1g/L氢氧化钠溶液。
所述B步骤的电解液组成为:含钙电解质0.15mol/L ~0.20mol/L,含磷电解质0.10 mol/L ~0.20mol/L,络合剂0.01mol/L~0.06mol/L。
所述B步骤的电解液其中含钙电解质为醋酸钙、碳酸钙、磷酸二氢钙、氢氧化钙或甘油磷酸钙之一种或几种;含磷电解质为磷酸盐、磷酸氢盐、磷酸二氢盐之一种或几种;络合剂选用EDTA、EDTA-2Na或者柠檬酸之一种或几种。
所述B步骤的脉冲电源占空比为30%~40%,正脉冲数为1,负脉冲数为1。
所述B步骤的氧化时间为15~20min,温度为室温。
实施例1
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