[发明专利]一种直接制备含有羟基磷灰石的微弧氧化陶瓷膜的方法

权利要求书

1.一种直接制备含有羟基磷灰石的微弧氧化陶瓷膜的方法，其特征在于包括如下步骤：

A、预处理：将钛合金Ti₆Al₄V切割成圆柱形钛材，在试样的上方打孔，对钛合金进行表面打磨处理至试样表面无划痕，然后再进行除油、碱洗及去离子水洗，自然烘干备用；

B、微弧氧化：将A步骤预处理制备的圆柱形钛材悬挂于电解液中，进行微弧氧化，所用电源为脉冲电源，电源电压450~475V，频率为900~1200HZ；

C、将微弧氧化处理后的试样用去离子水清洗后烘干得到含有羟基磷灰石的微弧氧化陶瓷膜。

2.根据权利要求1所述的直接制备含有羟基磷灰石的微弧氧化陶瓷膜的方法，其特征在于所述A步骤的除油剂为无水乙醇或丙酮。

3.根据权利要求1所述的直接制备含有羟基磷灰石的微弧氧化陶瓷膜的方法，其特征在于所述A步骤的碱洗液为1g/L氢氧化钠溶液。

4.根据权利要求1所述的直接制备含有羟基磷灰石的微弧氧化陶瓷膜的方法，其特征在于所述B步骤的电解液组成为：含钙电解质0.15mol/L ~0.20mol/L，含磷电解质0.10 mol/L ~0.20mol/L，络合剂0.01mol/L~0.06mol/L。

5.根据权利要求1或4所述的直接制备含有羟基磷灰石的微弧氧化陶瓷膜的方法，其特征在于所述B步骤的电解液其中含钙电解质为醋酸钙、碳酸钙、磷酸二氢钙、氢氧化钙或甘油磷酸钙之一种或几种；含磷电解质为磷酸盐、磷酸氢盐、磷酸二氢盐之一种或几种；络合剂选用EDTA、EDTA-2Na或者柠檬酸之一种或几种。

6.根据权利要求1所述的直接制备含有羟基磷灰石的微弧氧化陶瓷膜的方法，其特征在于所述B步骤的脉冲电源占空比为30%~40%，正脉冲数为1，负脉冲数为1。

7.根据权利要求1所述的直接制备含有羟基磷灰石的微弧氧化陶瓷膜的方法，其特征在于所述B步骤的氧化时间为15~20min，温度为室温。