[发明专利]正型抗蚀剂组合物

说明书

本发明提供一种聚焦裕度大、且分辨率优异的正型抗蚀剂组合物。本发明的正型抗蚀剂组合物含有相对于100质量份的碱可溶性树脂(A)为5～25质量份的酚化合物(B)，并且所述正型抗蚀剂组合物以相对于(A)成分和(B)成分的总质量100质量份为15～40质量份的范围含有感光性成分的混合物(C)，所述感光性成分的混合物(C)包含3种以上的二叠氮基醌的酯化物，所述正型抗蚀剂组合物还含有有机溶剂(D)。

技术领域

本发明涉及一种正型抗蚀剂组合物。

背景技术

迄今为止，在使用了玻璃基板的液晶显示元件的制造领域中，为了能够形成较为廉价、并且感光度、分辨力和形状优异的抗蚀剂图案，而广泛利用用于制造半导体元件的由线型酚醛树脂－含二叠氮基醌化合物的体系形成的正型抗蚀剂材料。

在半导体元件的制造中，最大使用直径8英寸(约200mm)～12英寸(约300mm)的圆板型硅晶片，与此相对，在平板显示器(以下，有时记载为FPD。)的制造中，使用大型的基板。

这样，在FPD的制造领域中，涂布抗蚀剂组合物的基板自然在材质、形状方面与硅晶片不同，而且在其大小方面与硅晶片也大不相同。

因此，对于FPD制造用的抗蚀剂材料而言，与其将重点放在半导体元件制造领域所要求的微观特性上，不如将重点放在宏观特性的改善中。

作为将重点放在宏观特性的改善中的抗蚀剂材料，例如专利文献1中记载了在使用500×600mm²以上的大型基板的工艺中也具有宏观特性(涂布性、加热不均、显影不均等)的抗蚀剂组合物。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第3789926号公报

发明内容

发明要解决的课题

伴随着FPD基板的大型化等，对于用于制造FPD的抗蚀剂材料尚有改善的余地。

在FPD的制造中，由于使用大型基板，因此出现由基板自身的变形所致的尺寸精度变差的问题。因此，需要聚焦裕度(focus margin)大的抗蚀剂材料。

但是，在大型基板的曝光装置中，为了提高生产能力(throughput)而主要使用g射线、h射线和i射线的混合波长而并非使用短波长，结果使开度变小，因此难以稳定地形成图案。即，以以往的抗蚀剂材料难以得到充分的聚焦裕度和分辨力。此外，当在g射线、h射线或i射线的单一波长下使用时，由于使数值孔径变大，因此可以得到分辨力，但是由于聚焦裕度变窄，因此难以稳定地形成微细图案。

本发明鉴于上述情况而完成，其课题在于提供聚焦裕度大、且分辨率优异的正型抗蚀剂组合物。

用于解决课题的手段

本发明为一种正型抗蚀剂组合物，其含有相对于100质量份的碱可溶性树脂(A)为5～25质量份的酚化合物(B)，并且所述正型抗蚀剂组合物以相对于(A)成分和(B)成分的总质量100质量份为15～40质量份的范围含有感光性成分的混合物(C)，所述感光性成分的混合物(C)包含下述式(C－1)所示的二叠氮基醌的酯化物、下述式(C－2)所示的二叠氮基醌的酯化物和下述式(C－3)所示的二叠氮基醌的酯化物，所述正型抗蚀剂组合物还含有有机溶剂(D)。

【化1】

[式中，R¹⁴独立地表示碳原子数1～5的烷基；D分别独立地表示氢原子或1,2－二叠氮基萘醌－5－磺酰基，且至少一个D表示1,2－二叠氮基萘醌－5－磺酰基；l、m分别独立地表示1或2。]

【化2】