[发明专利]一种验证缺陷检测程序灵敏度的方法有效
申请号: | 201410106633.0 | 申请日: | 2014-03-20 |
公开(公告)号: | CN103904002A | 公开(公告)日: | 2014-07-02 |
发明(设计)人: | 倪棋梁;陈宏璘;龙吟 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 吴俊 |
地址: | 201210 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 验证 缺陷 检测 程序 灵敏度 方法 | ||
技术领域
本发明涉及用于半导体检测工艺领域,尤其涉及一种验证缺陷检测程序灵敏度的方法。
背景技术
随着设计与制造技术的发展,集成电路设计从晶体管的集成发展到逻辑门的集成,现在又发展到IP的集成,芯片的集成度越来越高。
一般在先进的芯片制造过程中都会涉及到光学的缺陷检测,缺陷检测的基本工作原理是将芯片上的光学图像转换成为可由不同亮暗灰阶表示的数据图像,再通过相邻芯片上的数据比较来检测缺陷的位置,有在水平方向的相邻芯片的比较,也有在垂直方向的相邻芯片的比。而且,并不是芯片上的所有的缺陷都会对电路的最终性能造成影响,如一个55nm技术平台的缺陷其在栅极工艺的最小设计尺寸为55nm,后段的第二层金属连线工艺的最小设计尺寸为100nm,所以同样的一个40nm大小的缺陷对栅极工艺会造成良率的损失,但对于后者就不会有任何的影响。所以在实际的生产过程中,往往对于小尺寸设计线宽的工艺采用高分辨率的检测方法,大尺寸设计线宽的工艺采用低分辨率的检测方法以提高检测设备的产能。
缺陷检测设备灵敏度的调整与检测程序的各种参数的调整是密切相关的,但是在创建检测程序时实际晶圆上往往没有刚好符合最小设计尺寸大小的缺陷,所以工程师比较难于调整到适合的灵敏度,通常需要经过一段时间的生产才能验证缺陷检测程序实际的灵敏度。
所以,若有一种方法可以在创建缺陷检测的程序时就能够验证缺陷检测的灵敏度,就可以消除由于检测程序灵敏设置的不合理,导致的后续生产过程中检测的风险。
中国专利(CN103502801A)公开了一种缺陷分类方法,使用拍摄试样的装置以及与制造上述试样的工序对应的分类制程程序来分类缺陷图像,其特征在于,该缺陷分类方法具有以下步骤:通过与第一图像拍摄装置的分类制程程序相同的工序对应的第二图像拍摄装置的分类制程程序,来定义与以上述第一图像拍摄装置的分类制程程序定义的分类相同的分类;从由上述第二图像拍摄装置拍摄得到的缺陷图像中,确定与登记到以上述第一图像拍摄装置的分类制程程序定义的分类类中的示教图像相同种类的缺陷图像;以及将上述确定出的缺陷图像登记到以上述第二图像拍摄装置的分类制程程序定义的分类类中的、与登记了上述示教图像的上述第一图像拍摄装置的分类相同的分类中。但该专利缺乏有效性的灵敏度调整方法。
中国专利(CN1815206)公开了一种光学元件缺陷检测方法,检测叠积多个具有透光性的层的光学元件的缺陷,其特征在于,包含以下步骤:使检测用的光从光学元件的一端面部入射的入射步骤;以相互不同的多个观察角度,检测从光学元件的叠层方向的一表面出射的光的光强度的检测步骤;对检测出的各观察角度的光强度进行比较的比较步骤;以及根据所述比较步骤的比较结果和预定的缺陷观察角度与光强度的相关关系,判断缺陷的正当性的判断步骤。但该专利任然缺乏有效性的灵敏度调整方法。
发明内容
鉴于上述问题,本发明提供一种验证缺陷检测程序灵敏度的方法。
本发明解决技术问题所采用的技术方案为:
一种验证缺陷检测程序灵敏度的方法,适用于晶圆缺陷的光学检测程序,所述光学检测程序中包括光学显微镜,其中,所述验证缺陷检测程序灵敏度的方法包括以下步骤:
步骤1,利用掩模板通过光刻的方法将电路图投影到晶圆上,所述掩模板上设有设定缺陷;
步骤2,通过所述光学显微镜检测到所述晶圆上的缺陷,并验证得出当层工艺缺陷检测的灵敏度。
其中,所述设定缺陷的最小尺寸与当层工艺的最小设计尺寸一致。
其中,所述设定缺陷的电路走向与当层工艺的设计一致。
其中,还包括步骤3,在实际的检测程序中将步骤1和2中的缺陷移除。
其中,所述步骤2中通过将芯片上的光学图像转换成为由不同亮暗灰阶表示的数据图像,并比较以检测缺陷的位置。
其中,所述步骤1中在掩膜版上的其中一个芯片的空旷位置设置一个电路排布与当层工艺一致的设定缺陷。
本发明的技术方案根据在芯片上设计的与当层最小设计尺寸一致的缺陷,在设定缺陷检测程序的灵敏度时进行合理的各种参数的设置,避免由于检测程序灵敏设置的不合理,导致的后续生产过程中检测的风险。
附图说明
参考所附附图,以更加充分的描述本发明的实施例。然而,所附附图仅用于说明和阐述,并不构成对本发明范围的限制。
图1本发明实施例的光刻的示意图;
图2本发明实施例的缺陷的形貌示意图。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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