[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及阵列基板的制造领域，具体地，涉及一种阵列基板的制造方法、一种利用该制造方法制得的阵列基板、一种包括该阵列基板的显示装置。 

背景技术

液晶显示面板通常可以包括阵列基板、对盒基板和栅极驱动电路。栅极驱动电路为阵列基板上的薄膜晶体管提供扫描信号。为了提高显示面板的高集成化程度，可以将栅极驱动电路集成在阵列基板上。 

集成在所述阵列基板上的栅极驱动电路包括多个薄膜晶体管和连接在相邻两个薄膜晶体管之间的连接栅线，如图1所示（图1中示出了栅极驱动电路中的薄膜晶体管T1、T2、T3、T4），图2中所示的是相邻两个薄膜晶体管的连接关系图，如图中所示，相邻两个薄膜晶体管10之间连接有连接栅线12。 

图3中所示的是现有技术中制造阵列基板时，形成栅极驱动电路的薄膜晶体管的有源层的图形以及形成所述栅极驱动单元的薄膜晶体管的源极、漏极的图形的工艺流程。在形成薄膜晶体管的栅极11、连接栅线12、栅绝缘层20以及半导体层30之后，所述阵列基板的制造方法还包括以下步骤：形成光刻胶层40（图3a）→曝光、显影（图3b）→刻蚀半导体层，以使相邻两个薄膜晶体管的有源层隔开，再刻蚀栅绝缘层（3c）→对剩余半导体层上方的光刻胶层进行灰化（3d）→刻蚀形成有源层31，剥离剩余的光刻胶层（3e）→形成源漏金属层50，在其上形成一层光刻胶层，曝光、显影（3f）→刻蚀形成源极51和漏极52，并剥离剩余的光刻胶（3g）。 

从图3a中可以看出，在连接栅线12上方的光刻胶层薄于其 他区域光刻胶层。因此，在图3b中，经过曝光后，连接栅线12上方区域已经几乎没有光刻胶层存在。因此，在图3g中，利用刻蚀液刻蚀源漏金属层以形成源极和漏极时，容易将连接栅线刻断。 

因此，如何防止在刻蚀源漏金属层时损伤连接两个薄膜晶体管的连接栅线成为本领域亟待解决的技术问题。 

发明内容

本发明的目的在于提供一种阵列基板的制造方法、一种利用该制造方法制得的阵列基板、一种包括该阵列基板的显示面板和一种包括该显示面板的显示装置。所述制造方法可以防止在刻蚀源漏金属层时蚀除连接栅线。 

为了实现上述目的，作为本发明的第一个方面，提供一种阵列基板的制造方法，该阵列基板包括栅极驱动电路，该栅极驱动电路包括多个薄膜晶体管以及连接相邻两个薄膜晶体管的连接栅线，其中，所述制造方法包括： 

S1、形成包括所述薄膜晶体管的栅极和所述连接栅线的图形； 

S2、形成栅绝缘层； 

S3、形成包括栅线保护层的图形，所述栅线保护层位于所述连接栅线上方； 

S4、形成包括所述薄膜晶体管的源极和漏极的图形。 

优选地，所述栅线保护层与所述薄膜晶体管的有源层材料相同，在所述步骤S3中同时形成所述栅线保护层和所述薄膜晶体管的有源层。 

优选地，所述步骤S3包括： 

S31、形成半导体层； 

S32、在所述半导体层上涂敷光刻胶层； 

S33、通过光刻形成包括所述有源层和所述栅线保护层的图形。 

优选地，在所述步骤S32中，所述光刻胶层包括对应于所述栅极驱动单元的薄膜晶体管部和对应于所述栅线保护层的栅线保护部，所述栅线保护部的厚度和所述薄膜晶体管部的厚度均大于所述光刻 胶层上除所述栅线保护部和所述薄膜晶体管部之外的部分的厚度。 

优选地，所述光刻胶层还包括间隔部，该间隔部设置在所述栅线保护部的至少一个端部，且所述间隔部的厚度小于所述栅线保护部的厚度。 

优选地，所述栅线保护部的两个端部均设置有所述间隔部。 

优选地，在所述间隔部的长度在3.0μm至5.5μm之间。 

优选地，所述间隔部的长度在4.0μm至5.0μm之间。 

优选地，所述间隔部的厚度在所述栅线保护部的厚度的1/4至所述栅线保护部的厚度的1/2之间。 

作为本发明的第二个方面，提供一种阵列基板，该阵列基板包括栅极驱动电路，该栅极驱动电路包括多个薄膜晶体管以及连接相邻两个薄膜晶体管的连接栅线，其中，所述阵列基板还包括栅线保护层的图形，所述栅线保护层位于所述薄膜晶体管的栅绝缘层上，并与所述连接栅线相对应。 

优选地，所述栅线保护层与所述薄膜晶体管的有源层位于同一层，且由同种材料制成。 

作为本发明的第三个方面，提供一种显示装置，该显示装置包括阵列基板，其中，所述阵列基板为本发明所提供的上述阵列基板。