[发明专利]液晶显示面板的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种显示装置，特别是涉及一种液晶显示面板的制造方法。

背景技术

硅基液晶(LCOS)显示器是液晶显示器(LCDs)的一种类型，由一硅芯片与一玻璃板之间夹着一液晶层组成。由于硅芯片可使用标准互补式金属氧化物半导体(CMOS)技术来制造，故与LCD相比，可提供更高的稳定性与可信度。目前，LCOS显示面板已广泛应用于影像与媒体设备，如手持录摄影机、数字相机、投影电视与多媒体高射投影机等。

在LCOS面板中，虽然反射像素电极可能在不影响光学性质的情况下覆盖晶体管，但相比较于透射式LCD面板，LCOS面板的像素具有较大的孔径比。然而，当像素尺寸持续缩小，像素的孔径比减少而LCOS面板的反射率将降低。

发明内容

本发明的目的在于提供一种制造具有双反射镜层作为反射结构的液晶显示面板的方法，可提高光线反射率，并提供更高的影像显示明亮度。

为达上述目的，本发明提供一种液晶显示器面板的制造方法，其中包括以下步骤。提供其上具有一绝缘层的一基底后，在该绝缘层上形成一第一金属复合层，接着图案化以形成穿过该第一金属复合层的至少一第一开口。在该至少一第一开口内形成一第一中间介电层，而在该图案化第一金属复合层上形成一第二中间介电层。图案化该第二中间介电层，以形成穿过该第二中间介电层的第二开口。在该图案化第二中间介电层上形成一第二金属复合层，接着图案化以形成至少一第三开口。接着，在该至少一第三开口内形成一第三中间介电层。

在一实施例中，形成第一金属复合层的步骤包含在绝缘层上依序形成一第一层、一第二层与一第一金属层。

在一实施例中，形成第一层的步骤包含通过溅镀或物理气相沉积(PVD)形成一钛层，而形成第二层包含通过PVD或化学气相沉积(CVD)形成一氮化钛(TiN)层。

在一实施例中，形成第一金属层的步骤包含通过溅镀、PVD或电镀形成由铝、钛、钽、银、金、铜或铂制成的一层。

在一实施例中，第一金属复合层的厚度范围为200nm至1000nm。

在一实施例中，第二中间介电层包含硅氧化物、硅氮氧化物与/或硅氮化物，其通过CVD形成。

在一实施例中，第二中间介电层的厚度范围为300埃至1800埃。

在一实施例中，形成第二金属复合层的步骤包含依序形成一第三层、一第四层与一第二金属层。

在一实施例中，形成第三层的步骤包含通过溅镀或物理气相沉积(PVD)形成一钛层，而形成第四层包含通过PVD或化学气相沉积(CVD)形成一氮化钛(TiN)层。

在一实施例中，第三层与第四层共形形成覆盖第二开口的表面，而不填满第二开口。

在一实施例中，形成第二金属层的步骤包含通过溅镀、PVD或电镀形成由铝、钛、钽、银、金、铜或铂制成的一层。

在一实施例中，第二金属复合层的厚度范围为300埃至1800埃。

在一实施例中，还包括在图案化第二金属复合层上形成另一绝缘层，并在图案化第二金属复合层上方形成多个像素电极与一彩色滤片矩阵。

在一实施例中，还包括在彩色滤片矩阵上方形成一液晶层与一上基底。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图作详细说明如下。

附图说明

图1是依据本发明一实施例的一显示面板的剖面示意图。

图2A-2J说明本发明一实施例中显示面板的反射结构的方法制造流程。

图3是呈现显示面板反射值与光波长之间关系的示意图。

符号说明

100：显示面板

200：主动矩阵

210：下基底

220：主动元件

230：像素电极

240：反射结构

250：导电元件

260：第一绝缘层

270：第二绝缘层

280：绝缘层

290：彩色滤片矩阵

300：液晶层

310：配向层

400：上基底

410：配向层

500：基底

510：绝缘层

520：第一金属复合层520a、550a：上表面

522：第一层

524：第二层

526：第一金属层

530：第一中间介电层

531、561：剩余部分

540：第二中间介电层