[发明专利]闪存的形成方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，特别是涉及一种闪存的形成方法。

背景技术

存储器为计算机系统的记忆设备，用来存放程序和数据。存储器大致可分为两大类：易失存储器和非易失存储器。易失存储器在系统关闭时立即失去存储在内的数据，它需要持续的电源供应以保持数据；非易失存储器在系统关闭或无电源供应时仍能保持数据，目前应用最为广泛的非易失存储器为闪存（Flash Memory）。对于闪存而言，数据保持力（Data Retention）、耐久力（Endurance）等是评价闪存可靠性的参数。

但是，现有闪存的数据保持力及耐久力性能不佳。

发明内容

本发明要解决的问题是：现有闪存的数据保持力及耐久力性能不佳。

为解决上述问题，本发明提供了一种闪存的形成方法，包括：

提供工作台，所述工作台包括：反应室、及设有可打开保护盖的晶圆装载卸载室，所述反应室具有排气口、与所述排气口连接的管道、和所述管道连接的泵，所述管道上设有位于排气口下游、位于泵上游的控制阀，所述保护盖在打开状态下，所述反应室和晶圆装载卸载室直接相通，所述保护盖在关闭状态下，所述反应室和晶圆装载卸载室彼此隔离；

利用高温热氧化方法在形成有闪存栅极的晶圆上形成覆盖所述晶圆及栅极的氧化硅层，包括：向所述反应室内通入反应气体，所述控制阀和泵处于第一开启状态，以控制所述反应室内的压力，所述反应气体包括氧源气体和含氯硅源气体；

形成所述氧化硅层之后，打开所述保护盖，使所述控制阀和泵处于第二开启状态，将所述晶圆由所述反应室搬送至晶圆装载卸载室。

可选的，所述第二开启状态下的控制阀开度，是所述第一开启状态下的控制阀开度的一倍至三倍。

可选的，所述第二开启状态下的控制阀开度为20%至40%。

可选的，所述氧源气体为O₂、N₂O中的一种或两种。

可选的，所述含氯硅源气体为SiH₂Cl₂。

可选的，形成所述氧化硅层的工艺参数包括：所述反应室内的压力为250至500毫托。

可选的，形成所述氧化硅层的工艺参数包括：所述反应室内的温度为780至810摄氏度。

可选的，所述控制阀为蝶阀。

可选的，所述氧化硅层用于形成位于栅极周围的侧墙。

可选的，所述反应室为立式炉，所述晶圆装载卸载室位于反应室下方。

与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：

在将晶圆由反应室直接搬送至晶圆装载卸载室的期间，使控制阀和泵均处于开启状态，由于反应室和晶圆装载卸载室是相通的，泵可以同时抽走晶圆装载卸载室和反应室内的氯离子，使得晶圆存放在晶圆装载卸载室期间，晶圆不会暴露在氯离子环境下，因而不会有氯离子扩散至闪存内，提高了闪存的数据保持力及耐久力性能。

另外，在将晶圆由反应室搬送至晶圆装载卸载室期间，泵除了可以抽走氯离子之外，还可以同时抽走氧化硅层形成过程中所产生的颗粒。这样一来，无需通入N₂即可去除颗粒，避免闪存与颗粒接触，降低了成本。

附图说明

图1是一种工作台的简化结构示意图；

图2是本发明的一个实施例中闪存的制作流程图。

具体实施方式

经大量研究分析发现，造成现有闪存数据保持力及耐久力性能不佳的原因为：

在用于制作闪存的晶圆上形成闪存栅极之后，需首先在一工作台内形成覆盖晶圆及栅极的氧化硅层，然后待晶圆在该工作台内冷却，再将该晶圆运送至下一工作台，在所述下一工作台内对所述氧化硅层进行回刻，以在闪存栅极的周围形成侧墙。如图1所示，用于形成所述氧化硅层的工作台1包括：反应室10、及设有可打开保护盖210的晶圆装载卸载室20，反应室10具有排气口（未标识）、与排气口连接的管道220、和管道220连接的泵230，管道220上设有位于排气口下游、位于泵230上游的控制阀240，保护盖210在打开状态下，反应室10和晶圆装载卸载室20直接相通，保护盖210在关闭状态下，反应室10和晶圆装载卸载室20彼此隔离。