[发明专利]一种碳化硅表面处理方法有效
| 申请号： | 201410072719.6 | 申请日： | 2014-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN104882365B | 公开（公告）日： | 2017-11-14 |
| 发明（设计）人： | 郭丽伟;芦伟;贾玉萍;郭钰;李治林;陈小龙 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司11280 | 代理人： | 王勇,王博 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 表面 处理 方法 | ||
1.一种用于碳化硅的表面处理方法，包括：
1)将碳化硅粉末以及具有待处理表面的碳化硅晶体放置在真空腔中；
2)使所述碳化硅粉末被加热至第一温度以使其分解从而形成富Si气氛，至少使所述碳化硅晶体的所述待处理表面位于所述富Si气氛中，并使所述碳化硅晶体被加热至第二温度，以使所述碳化硅晶体的所述待处理表面与所述富Si气氛发生刻蚀反应。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一温度在1000℃与2000℃之间，所述第二温度在1000℃与2000℃之间。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一温度大于等于所述第二温度，所述第一温度与所述第二温度之间的差小于500℃。
4.根据权利要求1所述的方法，其中发生刻蚀反应时，所述真空腔内的气压小于104Pa。
5.根据权利要求4所述的方法，其中发生刻蚀反应时，所述真空腔的气压为10-4Pa至10Pa之间。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述碳化硅粉末的平均粒径小于1毫米。
7.根据权利要求1所述的方法，其中对所述碳化硅粉末的加热由第一加热器完成，对所述碳化硅晶体的加热由第二加热器完成，所述第一、第二加热器的温度可相互独立地控制。
8.根据权利要求1所述的方法，其中对所述碳化硅粉末的加热和对所述碳化硅晶体的加热由同一加热器完成，所述碳化硅粉末与所述碳化硅晶体分别放置在所述加热器的两个温度相同或两个温度不同的温区中。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
