[发明专利]一种装有控制IC的低噪声FET驱动电路

权利要求书

1.一种装有控制IC的低噪声FET驱动电路，其包括：

第一电容器、第二电容器、第一电阻、第二电阻、第三电阻，二极管，第一稳压管、第二稳压管、三极管，场效应晶体管、和控制用IC，其中该第一电容器的第一端连接第一电阻的第一端，该第一电阻的所述第一端接收输入信号，该第一电阻的第二端分别连接第二电容的第一端和用于提供开关电源脉宽调制信号的控制用IC的电源端，该控制用的输出端分别连接二极管的阳极、三极管的基极和第三电阻的第一端，该二极管的阴极分别连接三极管的发射极和第二电阻的第一端，该第二电阻的第二端分别连接第一稳压管的阴极和场效应晶体管的栅极，该场效应晶体管的漏极连接第二稳压管的阴极，所述第一电容器的第二端、所述第二电容器的第二端、所述用于提供开关电源脉宽调制信号的控制用IC的接地端、所述第三电阻的第二端、所述三极管的集电极、所述场效应晶体管的源极、所述第一稳压管的阳极和所述第二稳压管的阳极均接地。

2.根据权利要求1所述的装有控制IC的低噪声FET驱动电路，其中所述控制用IC是TL494。

3.根据权利要求1所述的装有控制IC的低噪声FET驱动电路，其中所述三极管是PNP晶体管。

4.根据权利要求1所述的装有控制IC的低噪声FET驱动电路，其中所述输入信号是+13V的直流电压。

5.根据权利要求1所述的装有控制IC的低噪声FET驱动电路，其中第一电阻R1的阻值为47千欧姆，第二电阻R2的阻值为50-100欧姆之间的任意值，优选75欧姆，第三电阻R3的阻值为1千欧姆，第一电容器C1的电容值为47μF，第二电容器C2的电容值为0.1μF。