[发明专利]全彩有机发光二极管结构有效
| 申请号: | 201410050510.X | 申请日: | 2014-02-13 |
| 公开(公告)号: | CN104851980B | 公开(公告)日: | 2017-02-08 |
| 发明(设计)人: | 林信志 | 申请(专利权)人: | 上海和辉光电有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/52 |
| 代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人: | 张浴月,李玉锁 |
| 地址: | 201500 上海市金山区*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 全彩 有机 发光二极管 结构 | ||
1.一种全彩有机发光二极管结构,包括:玻璃衬底;反射阳极,设置于所述玻璃衬底上;微共振腔调整层,设置于所述反射阳极上;空穴传输层,设置于所述微共振腔调整层上;发光层,设置于所述空穴传输层上;所述发光层包括设置在所述空穴传输层上的红光和绿光混合发光层,以及设置在所述空穴传输层上的蓝光发光层,其特征在于:
所述蓝光发光层的一部分覆盖所述红光和绿光混合发光层。
2.如权利要求1所述的全彩有机发光二极管结构,其中,所述红光和绿光混合发光层为单层结构,包括同时蒸镀的绿光和红光发光材料。
3.如权利要求2所述的全彩有机发光二极管结构,其中,同时蒸镀的绿光和红光发光材料是在主体发光材料中掺杂1-12%的红光磷光材料和3-12%的绿光磷光材料。
4.如权利要求1所述的全彩有机发光二极管结构,其中,所述红光和绿光混合发光层为双层结构,包括蒸镀的红光发光材料层以及蒸镀在所述红光发光材料层之上的绿光发光材料层。
5.如权利要求4所述的全彩有机发光二极管结构,其中,所述红光发光材料层的厚度为所述绿光发光材料层厚度的两倍。
6.如权利要求5所述的全彩有机发光二极管结构,其中,所述红光发光材料层的厚度为2.5-10nm,所述绿光发光材料层的厚度为5-10nm。
7.如权利要求1-6中任一权利要求所述的全彩有机发光二极管结构,其中,所述微共振腔调整层包括第一空穴注入层与设置在所述第一空穴注入层上的第二空穴注入层,所述第二空穴注入层包括,蓝光空穴注入层,设置在所述第一空穴注入层上;红光空穴注入层和绿光空穴注入层,设置在所述蓝光空穴注入层上,并且彼此间隔一定距离,所述蓝光空穴注入层的厚度、红光空穴注入层的厚度和绿光空穴注入层的厚度之间满足一定比例。
8.如权利要求7所述的全彩有机发光二极管结构,其中,所述蓝光空穴注入层的厚度、红光空穴注入层的厚度和绿光空穴注入层的厚度的比例为3:2:1。
9.如权利要求8所述的全彩有机发光二极管结构,其中,所述蓝光空穴注入层的厚度为750nm,红光空穴注入层的厚度为500nm,所述绿光空穴注入层的厚度为250nm。
10.如权利要求1-6中任一权利要求所述的全彩有机发光二极管结构,还包括电子传输层,设置于所述发光层上;电子注入层,设置于所述电子传输层上;半透明阴极层,置于所述电子注入层上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





