[发明专利]再利用硅片的制绒方法

说明书

技术领域

本发明涉及电池制造工艺技术领域，具体而言，涉及一种再利用硅片的制绒方法。

背景技术

图1示出了现有技术中的电池片的制造流程示意图，如图1所示，电池片的制造流程主要包括制绒、扩散、湿法刻蚀、PECVD（等离子体增强化学气相沉积法）、印刷烧结以及测试包装等步骤。上述步骤的作用具体如下：

制绒：通过硝酸与氢氟酸的混合溶液对硅片表面进行制绒；去除硅片切割时造成的表面损伤层；在硅片表面形成高低不平的表面及大量的孔洞，增加电池片表面的受光面积，降低反射率，从而提高太阳电池的转换效率。

扩散：在P型衬底硅上扩散一层磷层，形成了一层P-N结。

湿法刻蚀：通过硝酸与氢氟酸的混合溶液对硅片进行刻蚀；刻蚀硅片边沿P-N结，避免电池片漏电；抛光电池背面，起到镜面效果，使得阳光反射回硅片里面，多次利用。

PECVD：利用低温等离子体作能量源，样品置于低气压下辉光放电的电极上，利用辉光放电（或另加发热体）使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜。

印刷烧结：丝网印刷是利用印版非图文部分丝网孔封闭而不能透过油墨、图文部分丝网孔通透能透过油墨的原理进行印刷的。将丝网张紧并牢固地固定在网框上，采用手工或者光化学的方法，在丝网上制作出能透过油墨的图文部分和网孔封闭不能透过油墨的非图文部分。印刷时将油墨放于印版一侧，用刮墨板（刮刀）在丝网印版上的油墨部位施加一定压力，同时向丝网的另一端移动。在此过程，油墨在刮刀的挤压下从图文部分的丝网通孔中漏至承印物上，从而完成一次印刷。

制绒、扩散、湿法刻蚀、PECVD以及印刷各个工序均会有不合格品产生，上述不合格品称作再利用硅片，上述再利用硅片需要进行再次处理。图2示出了再利用硅片的制绒方法的流程示意图。如图2所示，再利用硅片的制绒方法包括步骤：装载；使再利用硅片依次通过制绒槽（其内含有HNO₃和HF的混合液体）、碱洗槽（其内含有KOH液体）以及酸槽（其内含有HCL和HF的混合液体）；热风干燥。在制绒槽、碱洗槽和酸槽之后还设有DI水（去离子水）洗槽。

再利用硅片经过一次或多次制绒处理后，会出现不同程度的亮片，而且部分亮片晶格比较明显，容易造成组件花片。硅片的再利用会增加电池片的亮片、花片数量，降低成品电池片的外观等级处理，增加生产成本。此外，再利用硅片变的比较薄，容易碎。硅片的二次再利用处理方法会使电池片转换效率低，不合格比例高。

发明内容

本发明旨在提供一种再利用硅片的制绒方法，以解决现有技术中再利用硅片易出现亮片以及变薄的问题。

为了实现上述目的，根据本发明的一个方面，提供了一种再利用硅片的制绒方法，包括以下步骤：步骤S10：将制绒设备或湿法刻蚀设备的工艺槽的顶槽内的药液排空；步骤S20：使再利用硅片经过工艺槽后进入碱洗槽进行碱洗；步骤S30：使碱洗后的再利用硅片进入酸槽。

进一步地，工艺槽内设有相对设置的上滚轮和下滚轮，在步骤S10中，药液排空后清洗上滚轮和下滚轮，以去除上滚轮和下滚轮上残留的药液。

进一步地，在步骤S20中，使再利用硅片的制绒面朝下经过上滚轮和下滚轮。

进一步地，步骤S20和步骤S30之间以及步骤S30之后还包括水洗步骤。

进一步地，工艺槽内置有HNO₃和HF的混合溶液。

进一步地，碱洗槽内置有KOH溶液。

进一步地，制绒设备的酸槽内置有HCL和HF的混合溶液；湿法刻蚀设备的酸槽内置有HF溶液。

应用本发明的技术方案，将制绒设备或湿法刻蚀设备的工艺槽内的药液排空，这样再利用硅片经过工艺槽时，仅与残留的药液反应，或者不与药液反应，而是直接进入碱洗槽和酸槽。这样能够最大程度地保留硅片第一次制绒的绒面效果和硅片的厚度，能够有效地降低酸的耗量，降低碎片率，提升转换效率，提高成品合格率以及降低电池片的亮片，减少因电池亮片而增加组件外观花片。

附图说明

构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1示出了现有技术中的电池片的制造流程示意图；

图2示出了现有技术中的再利用硅片的制绒方法的流程示意图；以及

图3示出了根据本发明的再利用硅片的制绒方法的实施例的流程示意图。

具体实施方式