[发明专利]一种太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池由下至上依次包括：硅片层、氧化石墨烯层和石墨烯层；

所述氧化石墨烯层中氧碳比为0.8～3.0；

所述氧化石墨烯层的厚度为1～10nm。

2.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述氧化石墨烯层中氧碳比为0.9～1.5。

3.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述氧化石墨烯层的厚度为2～6nm。

4.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述石墨烯层的厚度为0.8nm～8nm。

5.如权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于，所述石墨烯层的厚度为2～6nm。

6.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述硅片层的厚度为300～500μm。

7.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，当所述太阳能电池的面积为0.09cm²时，其光电转化率为4％～6％。

8.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池通过将权利要求1～7之一所述太阳能电池进行化学掺杂得到。

9.如权利要求8所述的太阳能电池，其特征在于，当所述太阳能电池的面积为0.09cm²时，其光电转化率为8％～9％。

10.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池通过在权利要求1～7之一所述太阳能电池表面涂覆减反射层得到。

11.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池通过在权利要求8或9所述太阳能电池表面涂覆减反射层得到。

12.如权利要求10或11所述的太阳能电池，其特征在于，所述减反射层的材料选自TiO₂、MgF₂或SiO₂中的任意1种或至少2种的组合。

13.如权利要求8、10和11之一所述的太阳能电池，其特征在于，当所述太阳能电池的面积为0.09cm²时，其光电转化率为10％～13％。

14.一种如权利要求1～7之一所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

(1)提供一硅基底，清洗除去硅基底上的污染物；

(2)在步骤(1)所述硅基底上转移氧化石墨烯获得氧化石墨烯界面层，得到硅片层/氧化石墨烯层的结构；

(3)将步骤(2)得到的硅片层/氧化石墨烯层的结构进行热处理；

(4)在步骤(3)的氧化石墨烯层上转移石墨烯层，得到太阳能电池。

15.如权利要求14所述的方法，其特征在于，步骤(3)所述热处理为煅烧处理。

16.如权利要求15所述的方法，其特征在于，所述煅烧的温度为200～600℃。

17.如权利要求15所述的方法，其特征在于，所述煅烧的温度为300～500℃。

18.如权利要求17所述的方法，其特征在于，所述煅烧的温度为400℃。

19.如权利要求15所述的方法，其特征在于，步骤(3)所述煅烧的时间为10～120min。

20.如权利要求19所述的方法，其特征在于，步骤(3)所述煅烧的时间为20～40min。

21.如权利要求14所述的方法，其特征在于，步骤(2)所述转移氧化石墨烯的方法选自旋涂、提拉、化学自组装中的任意1种。

22.如权利要求14所述的方法，其特征在于，步骤(2)所述转移氧化石墨烯的过程中，所使用的氧化石墨烯溶液的浓度是0.1～10mg/mL。

23.如权利要求14所述的方法，其特征在于，步骤(1)所述清洗除去硅基底上的污染物的步骤RCA标准清洗步骤。

24.一种如权利要求8或9所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述方法在权利要求16所述方法步骤(4)之后进行步骤(5a)：对石墨烯进行化学掺杂。