[发明专利]光照射装置

说明书

技术领域

本发明涉及具备具有外部电极的准分子灯的光照射装置，尤其涉及用于对表面形成有微细的布线图案的玻璃基板等被处理体照射紫外线来进行处理的光照射装置。

背景技术

在半导体基板、液晶基板等的制造工序中，作为除去在半导体基板即晶片、液晶基板即玻璃基板等被处理体的表面上附着的有机化合物等污垢的方法，广泛利用使用了紫外线的干式洗净方法。尤其在使用了真空紫外线的基于臭氧、活性氧的洗浄方法中，使用了更高效地以短时间进行洗浄的光照射装置，例如，已知有日本特开2010－125368号公报（专利文献1）。

图3、4是专利文献1中公开的光照射装置的概略构成图。

在光照射装置21中，在铅垂方向的下方侧具有光取出开口的金属制的灯罩22的内部，作为光源而配置有封入了氙等发光气体的准分子灯23。在灯罩22的顶面附近，设置有用于供给惰性气体的惰性气体供给管24、24。

所述准分子灯23配置在该气体供给管24、24所夹的空间的铅垂下方，作为被处理体（工件）的玻璃基板W在准分子灯23的更下方通过。

所述准分子灯23在放电容器25的上下外表面上具备一对外部电极26、27，该一对外部电极26、27夹着放电容器25内的放电空间而对置配置，上方的外部电极26被施加高电压从而作为高压电极发挥功能，与被处理体W对置的下方的外部电极27被施加低电压从而作为低压电极发挥功能。而且，至少下方的外部电极27由于网眼构造等而被设为光透射性。

在对上述外部电极26、27施加高频高电压时，在放电容器25内发生氙气体的准分子发光，产生波长172nm的紫外线，从放电容器25的下方照射位于外壳21的下方的被处理体W。

被处理体W例如是液晶面板用的玻璃基板，当通过输送辊等输送的被处理体W到达准分子灯23的正下方时，被照射来自该准分子灯23的真空紫外线。在被处理体W的表面上，紫外线以及在周围生成的活性氧等起作用，从而有机物被分解除去，洗浄后的被处理体W被搬出到外壳22的外部。

此外，出于极力抑制从灯放射的紫外线的衰减的目的，经由气体供给管24、24向收容准分子灯23的外壳22的内部导入并填充氮气等惰性气体。

但是，在液晶面板用玻璃基板等作为所述被处理体W的情况下，光照射处理在被加工成液晶面板用之前的状态下进行，因此，如图4所示，基板（被处理体）W上，有在表面上露出了以导电性物质形成的布线图案30的情况。这种情况下，在用上述光照射装置21通过光照射来处理基板W时，有时会发生该导电性物质破损等事故。

对于这种损伤，本发明的各发明人进行了仔细研究，结果查清了这种损伤的原因是：通过对准分子灯23的外部电极26、27施加的高电压，在灯的周围形成电场，并且该电场波及到被处理体W。

参照图5、图6对该现象进行说明。

图5是表示外壳22内配设有准分子灯23的光照射装置21的作用的示意图，外壳22以SUS板、铝板构成，在其内部的下方收容有准分子灯23。

在准分子灯23的上下外表面上设置的一对外部电极26、27间，施加高频高电压，但通常在准分子灯23的上方外部电极26施加高电压，在与被处理体W对置的下方外部电极27施加低电压。因此，在准分子灯23的上表面侧形成较强的电场X。

也有准分子灯23和被处理体W配置在接近的位置的情况，该电场X的一部分如图5所示那样，形成为其等电位线达到准分子灯23的下方的被处理体W的位置。

图6是将图5所示的光照射装置的准分子灯23以及工件W沿着工件W的输送方向切断的局部放大剖视图。

在玻璃基板等被处理体W上形成的导电性物质的布线图案30是各种各样的，近来形成微细的布线图案的情况很多，根据基板上的导电性物质的配置状态，如图所示那样接受由施加到准分子灯23的高电压所引起的电场，通过布线图案30而在邻接的导电性物质之间产生电位差，这期间有时发生异常放电Y。

其结果是，可以推测到导电性物质产生电火花而飞散并破损。

专利文献1：日本特开2010－125368号公报

发明内容

本发明鉴于上述现有技术的问题点，提供一种光照射装置的构造，该光照射装置在下方设置有光取出开口的外壳内收容在放电容器的上下外表面上具备一对外部电极的准分子灯而成，不会使在上下外部电极间产生的电场的影响波及到被处理体，能够防止被处理体上的布线图案发生异常放电，能够防止布线图案破损，可靠性高。