[发明专利]微电子晶体管接触体及其制造方法

说明书

技术领域

本说明书的实施例总体上涉及微电子器件的领域，并且更具体而言涉 及微电子晶体管的源极/漏极接触体。

背景技术

集成电路部件的更高性能、更低成本、增强的微型化，以及集成电路 的更大封装密度是制造微电子器件的微电子行业的一直的目标。随着这些 目标的实现，微电子器件按比例缩小，即，变得更小，这增加了对每个集 成电路部件的最优性能的需求。潜在性能增强的一个方面是源极/漏极接触 体的电阻降低。

附图说明

在本说明书的结论部分中具体指出并明确要求了本公开内容的主题。 根据结合附图的以下描述以及附属权利要求，本公开内容的上述和其它特 征将变得更加完全地显而易见。要理解的是，附图仅描绘了根据本公开内 容的几个实施例，并且因此，附图不应被视为本公开内容的范围的限制。 将通过使用附图以额外的特殊性和细节来描述本公开内容，使得本公开内 容的优点可以更容易地被确定，其中：

图1-图10是根据本说明书的实施例的形成微电子晶体管的源极/漏极 接触体的过程的截面侧视图。

图11和图12是根据本说明书的另一实施例的形成微电子晶体管的源 极/漏极接触体的截面侧视图。

图13是根据本说明书的实施例的制造纳米线晶体管的过程的流程图。

图14图示了根据本说明书的一个实施方式的计算装置。

具体实施方式

在以下具体实施方式中，参考了附图，附图通过图示方式示出了可以 实践所要求的主题的特定实施例。这些实施例得到充分详细的描述，以使 本领域的技术人员能够实践该主题。应当理解，尽管各实施例不同，但它 们未必是相互排斥的。例如，可以在其它实施例中实施结合一个实施例在 本文中描述的特定特征、结构或特性而不脱离所要求主题的精神和范围。 在本说明书之内提到“一个实施例”或“实施例”表示结合实施例描述的 特定特征、结构或特性被包括在本说明书内包含的至少一个实施方式中。 因此，短语“一个实施例”或“在实施例中”的使用，未必指代相同实施 例。此外，要理解的是，可以修改每个公开实施例内的独立元件的位置或 布置而不脱离所要求主题的精神和范围。因此，不应以限制性意义来理解 以下具体实施方式，并且所要求主题的范围仅受适当地被解释的附属权利 要求连同附属权利要求所授权的等价物的全范围的限定。在附图中，贯穿 几幅示图的相同标号指代相同或相似的元件或功能，并且其中描绘的元件 未必彼此成比例，相反，可以放大或缩小独立的元件，以便在本说明书的 语境中更容易理解该元件。

如本文中使用的术语“之上”、“到”、“之间”和“上”可以指代 一层关于其它层的相对位置。在另一层“之上”或“上”或结合“到”另 一层的一层可以直接接触另一层，或者可以有一个或多个中介层。在层“之 间”的一层可以直接与这些层接触，或者可以具有一个或多个中介层。

本说明书的实施例包括微电子晶体管的源极/漏极接触体(也被称作“晶 体管接触体”)，该接触体具有用于形成晶体管接触体的增大容量的导电 材料，这可以降低接触体的电阻，并且本说明书的实施例包括形成晶体管 接触的工艺，这可以相对于已知的制造工艺而放松对材料选择以及下游处 理的约束。可以通过形成穿过层间电介质层的过孔来制造这样的晶体管接 触体，层间电介质层设置在微电子衬底上，其中，过孔从层间电介质层的 第一表面延伸到微电子衬底，形成过孔侧壁并且暴露微电子衬底的部分。 然后，可以形成与暴露的微电子衬底、至少一个过孔侧壁以及层间电介质 第一表面邻近的接触材料层。可以接近微电子衬底在过孔内形成蚀刻阻挡 插塞。可以去除不受蚀刻阻挡插塞保护的接触材料层，随后去除蚀刻阻挡 插塞并且用导电材料填充过孔。