[发明专利]微电子晶体管接触体及其制造方法

权利要求书

1.一种形成晶体管接触体的方法，包括：

穿过设置在微电子衬底上的层间电介质层来形成过孔，其中，所述过 孔从所述层间电介质层的第一表面延伸到所述微电子衬底，形成过孔侧壁 并且暴露所述微电子衬底的部分；

邻近所述微电子衬底的暴露部分来形成接触材料层；

在所述过孔内接近所述微电子衬底形成蚀刻阻挡插塞；

去除不受所述蚀刻阻挡插塞保护的所述接触材料层而形成接触材料结 构；

去除所述蚀刻阻挡插塞，以及

用导电材料来填充所述过孔。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述蚀刻阻挡插塞包括：

形成非晶碳蚀刻阻挡插塞。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述蚀刻阻挡插塞包括：

在所述接触材料层之上沉积蚀刻阻挡材料层，包括将所述蚀刻阻挡材 料层沉积到所述过孔中，以及

去除所述蚀刻阻挡材料的部分。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，沉积所述蚀刻阻挡材料层包括：

沉积非晶碳材料层。

5.根据权利要求1至4中的任一项所述的方法，其中，形成所述接触 材料层包括：

形成多层接触材料层。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，形成所述多层接触材料层包括：

邻近所述微电子衬底的所述暴露部分以及所述层间电介质的所述第一 表面来形成钛层，以及

在所述钛层上形成氮化钛层。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述接触材料层包括：

邻接所述微电子衬底的所述暴露部分、至少一个过孔侧壁以及所述层 间电介质的所述第一表面来形成共形接触层。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，去除不受所述蚀刻阻挡插塞保 护的所述共形接触材料层而形成所述接触材料结构包括：

去除不受所述蚀刻阻挡插塞保护的所述共形接触材料层，形成共形接 触材料结构的与所述至少一个过孔侧壁邻接的部分，所述部分具有小于所 述过孔的高度的50％的高度。

9.根据权利要求7所述的方法，其中，去除不受所述蚀刻阻挡插塞保 护的所述共形接触材料层而形成所述接触材料结构包括：

去除不受所述蚀刻阻挡插塞保护的所述共形接触材料层，形成共形接 触材料结构的与所述至少一个过孔侧壁邻接的部分，所述部分具有所述过 孔的高度的约10％和40％之间的高度。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，用导电材料来填充所述过孔 包括：

用钨来填充所述过孔。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述微电子衬底包括：

形成具有源极区和漏极区的至少其中之一的微电子衬底，并且其中， 形成所述过孔包括：形成从所述层间电介质层的第一表面到所述微电子衬 底的穿过所述层间电介质层的过孔，形成过孔侧壁并且暴露所述源极区和 所述漏极区的至少其中之一的部分。

12.一种微电子结构，包括：

微电子衬底；

所述微电子衬底上的层间电介质层；

过孔，所述过孔从所述层间电介质层的第一表面到所述微电子衬底穿 过所述层间电介质层，其中，所述过孔包括至少一个过孔侧壁；

所述过孔内的接触材料结构，其中，所述接触材料结构包括共形层， 所述共形层具有与所述微电子衬底邻接的部分以及与所述至少一个过孔侧 壁邻接而不延伸所述过孔的整体高度的部分；以及

与所述接触材料结构邻接的导电材料。

13.根据权利要求12所述的微电子结构，其中，所述接触材料结构包 括多层接触材料结构。

14.根据权利要求13所述的微电子结构，其中，所述多层接触材料结 构包括：与所述微电子衬底邻接的钛层；以及所述钛层上的氮化钛层。