[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：半导体基板、在所述半导体基板的表面形成的n型的半导体层、以及在所述半导体层的上表面侧形成的结终端部，

所述结终端部具备：p型的第一区域、以及在比所述第一区域更靠近所述半导体基板的端部侧而设置的p型的第二区域，

所述第一区域具有第一浓度梯度，

所述第二区域具有大于所述第一浓度梯度的第二浓度梯度，所述第一浓度梯度为1.6×10¹⁵cm^-3/μm以下，所述第二浓度梯度为大于1.6×10¹⁵cm^-3/μm且6.3×10¹⁵cm^-3/μm以下，

所述第一区域朝向所述第二区域浓度逐渐变低。

2.如权利要求1所述的半导体装置，所述半导体层为碳化硅。

3.如权利要求1所述的半导体装置，所述第一区域和所述第二区域含有铝。

4.如权利要求1所述的半导体装置，所述结终端部具备比所述第二区域更靠近所述半导体基板的端部侧而设置的p型的第三区域，所述第三区域具有小于所述第二浓度梯度的第三浓度梯度，且所述第二区域朝向所述第三区域浓度逐渐变低。

5.如权利要求4所述的半导体装置，所述第一浓度梯度和所述第三浓度梯度为1.6×10¹⁵cm^-3/μm以下，所述第二浓度梯度为大于1.6×10¹⁵cm^-3/μm且6.3×10¹⁵cm^-3/μm以下。

6.一种半导体装置的制造方法，包括：

(a)在半导体基板的表面形成n型的半导体层的工序；以及

(b)在所述半导体层的上表面侧形成结终端部的工序，所述结终端部中，朝向所述半导体基板的端部依次配置具有第一浓度梯度的p型的第一区域和具有第二浓度梯度的p型的第二区域，

所述(b)工序包括：

(b1)对所述第一区域的一部分和所述第二区域进行p型的第一杂质的离子注入的工序、

(b2)对所述第一区域和所述第二区域的一部分进行p型的第二杂质的离子注入的工序，

在所述第一区域中形成有将所述第一杂质与所述第二杂质叠加地进行离子注入的第一杂质区域、以及仅将所述第二杂质进行离子注入的第二杂质区域，

在所述第二区域中形成有将所述第一杂质与所述第二杂质叠加地进行离子注入的第三杂质区域、以及仅将所述第一杂质进行离子注入的第四杂质区域，所述第一浓度梯度为1.6×10¹⁵cm^-3/μm以下，所述第二浓度梯度为大于1.6×10¹⁵cm^-3/μm且6.3×10¹⁵cm^-3/μm以下，

所述第一区域朝向所述第二区域浓度逐渐变低。

7.一种电力变换装置，具备权利要求1～5中任一项所述的半导体装置。

8.一种三相电动机系统，具备权利要求7所述的电力变换装置。

9.一种汽车，具备权利要求8所述的三相电动机系统。

10.一种有轨车辆，具备权利要求8所述的三相电动机系统。