[发明专利]具有非晶金属电阻器的热喷墨打印头堆叠件有效
| 申请号: | 201380076125.6 | 申请日: | 2013-07-12 |
| 公开(公告)号: | CN105163941B | 公开(公告)日: | 2017-10-24 |
| 发明(设计)人: | 小詹姆斯·埃尔默·阿博特;罗伯托·A·普列塞;格雷·斯考特·朗 | 申请(专利权)人: | 惠普发展公司;有限责任合伙企业 |
| 主分类号: | B41J2/335 | 分类号: | B41J2/335;B41J2/345 |
| 代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司11018 | 代理人: | 康泉,王珍仙 |
| 地址: | 美国德*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 金属 电阻器 喷墨 打印头 堆叠 | ||
1.一种具有非晶金属电阻器的热喷墨打印头堆叠件,包括:
绝缘基底;
应用至所述绝缘基底的电阻器,所述电阻器包括如下的非晶膜:
5原子%至90原子%的类金属,其中所述类金属是碳、硅或者硼,
5原子%至90原子%的第一金属,其中所述第一金属是钛、钒、铬、钴、镍、锆、铌、钼、铑、钯、铪、钽、钨、铱或者铂,和
5原子%至90原子%的第二金属,其中所述第二金属是钛、钒、铬、钴、镍、锆、铌、钼、铑、钯、铪、钽、钨、铱或者铂,其中所述第二金属不同于所述第一金属,
其中所述类金属、所述第一金属和所述第二金属占所述非晶膜的至少70原子%,且其中所述电阻器的所述非晶膜具有小于1nm的表面RMS粗糙度。
2.权利要求1所述的热喷墨打印头堆叠件,其中所述非晶膜进一步包括从5原子%至85原子%的第三金属,其中所述第三金属是钛、钒、铬、钴、镍、锆、铌、钼、铑、钯、铪、钽、钨、铱或者铂,其中所述第三金属不同于所述第一金属和所述第二金属。
3.权利要求1所述的热喷墨打印头堆叠件,进一步包括与所述电阻器电连接的导体对,所述导体对包括施加至所述导体对的顶表面而不施加至所述电阻器的钝化层。
4.权利要求1所述的热喷墨打印头堆叠件,进一步包括施加至所述电阻器的薄电绝缘膜。
5.权利要求1所述的热喷墨打印头堆叠件,其中所述电阻器的所述非晶膜进一步包括从0.1原子%至15原子%的掺杂剂,所述掺杂剂为氮、氧或其混合物。
6.权利要求1所述的热喷墨打印头堆叠件,其中所述电阻器的所述非晶膜具有至少400℃的热稳定性并且具有至少700℃的氧化温度。
7.权利要求1所述的热喷墨打印头堆叠件,其中所述电阻器的所述非晶膜具有小于0.05nm/min的氧化物生长速率。
8.权利要求1所述的热喷墨打印头堆叠件,其中所述电阻器的所述非晶膜在所述类金属、所述第一金属和所述第二金属的至少两个之间相对于彼此具有至少12%的原子分散度。
9.权利要求1所述的热喷墨打印头堆叠件,其中所述电阻器的所述非晶膜在所述类金属、所述第一金属和所述第二金属的每个之间相对于彼此具有至少12%的原子分散度。
10.权利要求1所述的热喷墨打印头堆叠件,其中所述电阻器的所述非晶膜具有从100μΩ·cm至10000μΩ·cm的体积电阻率。
11.一种制造具有非晶金属电阻器的热喷墨打印头堆叠件的方法,包括:
以热喷墨电阻器形式施加非晶膜至绝缘基底,所述非晶膜包括:
5原子%至90原子%的类金属,其中所述类金属是碳、硅或者硼;
5原子%至90原子%的第一金属,其中所述第一金属是钛、钒、铬、钴、镍、锆、铌、钼、铑、钯、铪、钽、钨、铱或者铂;和
5原子%至90原子%的第二金属,其中所述第二金属是钛、钒、铬、钴、镍、锆、铌、钼、铑、钯、铪、钽、钨、铱或者铂,并且其中所述第二金属不同于所述第一金属;其中所述电阻器的所述非晶膜具有小于1nm的表面RMS粗糙度,
施加导体对至所述绝缘基底并且与所述非晶金属电阻器电连通;和
施加钝化层至所述导体对,从而当装载喷墨油墨时化学隔离和电隔离所述导体对与喷墨油墨的接触。
12.权利要求11所述的方法,进一步包括施加一个或者多个保护层至所述电阻器的步骤。
13.权利要求11所述的方法,其中所述非晶金属电阻器进一步包括从5原子%至85原子%的第三金属,其中所述第三金属是钛、钒、铬、钴、镍、锆、铌、钼、铑、钯、铪、钽、钨、铱或者铂,其中所述第三金属不同于所述第一金属和所述第二金属。
14.一种热喷墨打印的方法,包括从使用加热电阻器的喷墨打印头热喷墨喷墨油墨的液滴,所述加热电阻器包括如下的非晶膜:
5原子%至90原子%的类金属,其中所述类金属是碳、硅或者硼;
5原子%至90原子%的第一金属,其中所述第一金属是钛、钒、铬、钴、镍、锆、铌、钼、铑、钯、铪、钽、钨、铱或者铂;和
5原子%至90原子%的第二金属,其中所述第二金属是钛、钒、铬、钴、镍、锆、铌、钼、铑、钯、铪、钽、钨、铱或者铂,并且其中所述第二金属不同于所述第一金属,其中所述电阻器的所述非晶膜具有小于1nm的表面RMS粗糙度。
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