[发明专利]无缺陷单晶薄层

权利要求书

1.一种制备III-V族半导体膜的方法，包括：

辐照包括该III-V族半导体的衬底的表面；以及

在辐照的同时用含有蚀刻液的溶液接触该衬底的该表面以在该衬底上形成膜。

2.如权利要求1所述的方法，其中该III-V族半导体选择于由砷化铟、磷化铟、砷化镓、磷化镓、锑化镓、氮化铝、锑化铟、砷化铝、磷化铝、锑化铝、砷化铟镓、磷砷化镓、磷砷化铟、磷砷化镓铟、砷化镓铝铟、氮化镓铟和氮化镓铝组成的组。

3.如权利要求1所述的方法，其中该III-V族半导体是氮化镓。

4.如权利要求3所述的方法，其中该衬底包括蓝宝石上的硅掺杂、n掺杂、未掺杂、或者p掺杂的氮化镓。

5.如权利要求3所述的方法，其中该衬底包括块状氮化镓。

6.如权利要求3所述的方法，其中该衬底包括碳化硅上的氮化镓。

7.如权利要求3所述的方法，其中该衬底包括硅上的氮化镓。

8.如权利要求1所述的方法，其中该蚀刻液包括氢氟酸和过氧化氢。

9.如权利要求1所述的方法，其中该蚀刻液包括氢氧化钾。

10.如权利要求1所述的方法，其中该衬底的该表面包括多个位错。

11.如权利要求1所述的方法，其中该蚀刻液选择性地蚀刻该位错处。

12.如权利要求1所述的方法，其中该衬底的该表面通过辐照源辐照，其中该辐照源的能量大于该III-V族半导体的带隙。

13.如权利要求1所述的方法，其中该衬底的该表面通过紫外光源辐照，其中该紫外光源的能量高于该III-V族半导体的带隙。

14.如权利要求1所述的方法，其中该衬底的该表面通过X射线照射。

15.如权利要求1所述的方法，其中该衬底的该表面通过伽马射线照射。

16.如权利要求12所述的方法，其中该方法还包括控制该辐照源的强度。

17.如权利要求1所述的方法，其中该衬底的该表面的一部分涂有电极。

18.如权利要求17所述的方法，其中该电极的材料可以选自钛、铂、银和金。

19.如权利要求1所述的方法，其中该方法还包括施加电场于该衬底的该表面。

20.如权利要求1所述的方法，其中该方法还包括干燥该衬底。,

21.如权利要求1所述的方法，其中该III-V族半导体膜的厚度在10纳米和1微米之间。

22.如权利要求1所述的方法，其中该方法还包括转移该III-V族半导体膜至第二基板。

23.一种包括无位错单晶III-V族半导体的膜，其中该无位错单晶III-V族半导体具有10纳米和1微米之间的厚度。

24.如权利要求23所述的膜，其中该膜包括多个孔隙。

25.如权利要求23所述的膜，其中该III-V族半导体是氮化镓。

26.如权利要求25所述的膜，其中多个氮化镓引线通过该无位错单晶氮化镓突出。

27.如权利要求25所述的膜，其中该膜还包括在该无位错单晶氮化镓下面的多孔氮化镓层。

28.一种包括衬底上的无位错单晶III-V族半导体的结构，其中该衬底是聚合物衬底、铜衬底、硅衬底、玻璃衬底、碳化硅衬底、蓝宝石衬底、石英衬底、瓷衬底、磷化铟衬底、氮化镓衬底、砷化镓衬底、氧化铍衬底、氮化铝衬底、氧化铝衬底、塑料衬底、或陶瓷衬底。

29.一种用于生长III-V族半导体的装置，其包括膜，其中该膜包括无位错单晶III-V族半导体，且其中该膜具有10纳米和1微米之间的厚度。

30.如权利要求29所述的装置，其中该III-V族半导体是氮化镓。