[发明专利]III族氮化物复合衬底及其制造方法，层叠的III族氮化物复合衬底，以及III族氮化物半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种III族氮化物复合衬底，其具有75mm以上的直径并且包括彼此接合的支撑衬底和III族氮化物膜，所述III族氮化物膜具有50nm以上且小于10μm的厚度，

所述III族氮化物膜的厚度的标准偏差s_t与该III族氮化物膜的厚度的平均值m_t的比率s_t/m_t为0.01以上且0.5以下，并且

在所述III族氮化物膜的主面和预定平面取向的平面之间的偏离角的绝对值的标准偏差s_o与该偏离角的绝对值的平均值m_o的比率s_o/m_o为0.005以上且0.6以下。

2.根据权利要求1所述的III族氮化物复合衬底，其中，

所述III族氮化物复合衬底的III族氮化物膜侧主面的均方根粗糙度的平均值m_III-N为0.4nm以上且10nm以下，并且

所述III族氮化物膜侧主面的均方根粗糙度的标准偏差s_III-N与该均方根粗糙度的平均值m_III-N的比率s_III-N/m_III-N为0.008以上且0.5以下。

3.根据权利要求1或2所述的III族氮化物复合衬底，其中，

所述III族氮化物复合衬底的III族氮化物膜侧主面的翘曲W_III-N与所述III族氮化物复合衬底的直径D的比率W_III-N/D为-7×10^-4以上且8×10^-4以下。

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的III族氮化物复合衬底，其中，

所述III族氮化物膜的热膨胀系数α_III-N与所述支撑衬底的热膨胀系数α_s的比率α_III-N/α_S为0.75以上且1.25以下，并且

所述III族氮化物膜的厚度t_III-N与所述支撑衬底的厚度t_s的比率t_III-N/t_S为1×10^-4以上且2×10^-2以下。

5.根据权利要求1至4中的任一项所述的III族氮化物复合衬底，其中，

所述III族氮化物膜的主面的杂质金属原子为1×10¹³原子/cm²以下。

6.根据权利要求1至5中的任一项所述的III族氮化物复合衬底，其中，

所述支撑衬底具有3W·m^-1·K^-1以上且280W·m^-1·K^-1以下的热导率λ_S。

7.根据权利要求1至6中的任一项所述的III族氮化物复合衬底，其中，

所述支撑衬底具有150GPa以上且500GPa以下的杨氏模量E_s。

8.根据权利要求1至7中的任一项所述的III族氮化物复合衬底，其中，

所述III族氮化物复合衬底具有100mm以上的直径。

9.一种层叠的III族氮化物复合衬底，其包括：

如权利要求1中所述的III族氮化物复合衬底，以及

被设置在所述III族氮化物复合衬底的III族氮化物膜侧主面上的至少一个III族氮化物层。

10.一种III族氮化物半导体器件，其包括：

如权利要求1中所述的III族氮化物复合衬底中的所述III族氮化物膜，以及

被设置在所述III族氮化物膜上的至少一个III族氮化物层。