[发明专利]高分辨率有机发光二极管器件有效
申请号: | 201380070779.8 | 申请日: | 2013-09-19 |
公开(公告)号: | CN104904015B | 公开(公告)日: | 2018-05-18 |
发明(设计)人: | C.马迪根 | 申请(专利权)人: | 科迪华公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 申屠伟进;陈岚 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 高分辨率 有机 发光二极管 器件 | ||
1.一种有机发光二极管(OLED)显示器,包括:
第一电极,设置在衬底上,其中所述第一电极与第一子像素相关联;
第二电极,设置在衬底上并且与所述第一电极间隔开以提供在第一和第二电极之间的间隙,其中所述第二电极与第二子像素相关联;
限制结构,定位在衬底上以限定含有所述第一电极和所述第二电极的井的边界;
基本上连续的有源OLED材料层,跨越井的边界并且包含在所述边界内,并且被设置在所述第一电极和所述第二电极之上,其中背对衬底的有源OLED材料层的表面具有非平面形貌;以及
公共电极,设置在有源OLED材料层之上。
2.依据权利要求1的所述显示器,其中有源OLED材料层具有基本上均匀的厚度。
3.依据权利要求1或2的所述显示器,其中有源OLED材料层包含厚度中的局部不均匀性,其中,厚度中的局部不均匀性在井中的表面特征的边缘的5 μm-10 μm内。
4.依据权利要求1的所述显示器,其中有源OLED材料层具有小于所述第一电极和所述第二电极的厚度的厚度。
5.依据权利要求1的所述显示器,其中有源OLED材料层包括光发射材料和空穴导电材料中的至少一个。
6.依据权利要求5的所述显示器,其中所述空穴导电材料是空穴注入材料和空穴输运材料中的至少一个。
7.依据权利要求1的所述显示器,进一步包括:
设置在第一电极和第二电极之间的间隙内的衬底上的结构;以及
沉积在所述结构上的第一限定层。
8.依据权利要求7的所述显示器,进一步包括:
在衬底以及第一电极和第二电极的部分上的第二限定层,其中,限制结构设置在第二限定层之上。
9.依据权利要求7或8的所述显示器,其中所述第一限定层和所述第二限定层中的至少一个包括电阻性材料。
10.依据权利要求1的所述显示器,其中所述显示器具有大于40%的填充因子。
11.依据权利要求1的所述显示器,其中所述显示器具有大于60%的填充因子。
12.依据权利要求1的所述显示器,其中所述显示器具有至少100 ppi的分辨率。
13.依据权利要求1的所述显示器,其中所述显示器具有至少300 ppi的分辨率。
14.依据权利要求1的所述显示器,其中所述显示器是顶部发射显示器。
15.依据权利要求1的所述显示器,其中所述显示器是有源矩阵器件。
16.一种制造有机发光二极管(OLED)显示器的方法,包括:
在衬底上提供与第一子像素相关联的第一电极和与第二子像素相关联的第二电极,其中在所述第一电极和所述第二电极之间形成间隙,并且其中所述第一电极和所述第二电极被定位在具有由衬底上的限制结构限定的边界的井中;
在带有被定位在其中的电极的井中沉积有源OLED材料以形成有源OLED材料的基本上连续的层,该有源OLED材料的基本上连续的层跨越井的边界并且包含在所述边界内,使得背对衬底的有源OLED材料的层的表面具有非平面形貌,其中沉积经由喷墨印刷;以及
在有源OLED材料的层之上定位公共电极。
17.依据权利要求1的所述显示器,其中所述第一和第二电极是反射的。
18.依据权利要求17的所述显示器,其中所述第一和第二电极由金属、合金及其组合构成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于科迪华公司,未经科迪华公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201380070779.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的