[发明专利]具有低可见性图案的导电膜及其制备方法有效
| 申请号: | 201380070551.9 | 申请日: | 2013-12-06 |
| 公开(公告)号: | CN104969303B | 公开(公告)日: | 2016-11-23 |
| 发明(设计)人: | 杰弗瑞·沃克;迈克尔·R·科纳珀 | 申请(专利权)人: | 凯姆控股有限公司 |
| 主分类号: | H01B1/22 | 分类号: | H01B1/22 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 王玉双 |
| 地址: | 维尔京群岛*** | 国省代码: | 维尔京群岛;VG |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 可见 图案 导电 及其 制备 方法 | ||
1.一种图案化透明导体,包括:
非导电衬底;
第一导电线,位于所述非导电衬底上,所述第一导电线包括第一导电纳米结构网状物并且具有第一纵向方向;
第二导电线,位于所述非导电衬底上,所述第二导电线包括第二导电纳米结构网状物并且具有第二纵向方向;以及
绝缘区,使所述第一导电线与所述第二导电线电隔离,所述绝缘区具有沿所述第一纵向方向侧向邻接所述第一导电线的第一非导电边界和沿所述第二纵向方向侧向邻接所述第二导电线的第二非导电边界,
其中,所述绝缘区包括设置在所述非导电衬底上并通过非导电间隙彼此电隔离的多个导电材料岛状物,每个导电材料岛状物包括相应的多个导电纳米结构。
2.根据权利要求1所述的图案化透明导体,其中,所述第一纵向方向和所述第二纵向方向大致相互平行。
3.根据权利要求1所述的图案化透明导体,其中,所述第一非导电边界是直的。
4.根据权利要求1所述的图案化透明导体,其中,所述第二非导电边界是直的。
5.根据权利要求1所述的图案化透明导体,其中,所述第一非导电边界是不规则的。
6.根据权利要求5所述的图案化透明导体,其中,所述第二非导电边界是直的。
7.根据权利要求1所述的图案化透明导体,其中,所述导电材料岛状物为平行四边形。
8.根据权利要求1所述的图案化透明导体,其中,所述导电材料岛状物为不规则形状。
9.根据权利要求1所述的图案化透明导体,其中,所述导电材料岛状物具有位于0.1-10平方毫米的范围或者0.5-2平方毫米的范围内的表面积。
10.根据权利要求1所述的图案化透明导体,其中,所述非导电间隙、所述第一非导电边界和所述第二非导电边界内不存在金属纳米结构。
11.根据权利要求1所述的图案化透明导体,其中,所述非导电间隙、所述第一非导电边界和所述第二非导电边界具有带结构缺陷的金属纳米结构,所述缺陷使得所述金属纳米结构不能形成导电网状物。
12.一种制造具有低可见性图案的透明导体的方法,所述方法包括:
根据图案在非导电衬底上直接印刷涂料组合物,所述涂料组合物具有挥发性液体载体和多个金属纳米结构;以及
去除所述挥发性液体载体,
其中,所述图案限定了所述非导电衬底上的具有第一纵向方向的第一导电线;所述非导电衬底上的具有第二纵向方向的第二导电线;以及使所述第一导电线与所述第二导电线电隔离的绝缘区,所述绝缘区具有沿所述第一纵向方向侧向邻接所述第一导电线的第一非导电边界和沿所述第二纵向方向侧向邻接所述第二导电线的第二非导电边界,其中,所述绝缘区包括设置在所述非导电衬底上并且通过非导电间隙彼此电隔离的多个导电材料岛状物,每个导电材料岛状物包括相应的多个导电纳米结构,以及其中所述非导电间隙、所述第一非导电边界和所述第二非导电边界不具有任何金属纳米结构。
13.根据权利要求12所述的方法,其中所述非导电间隙、所述第一非导电边界和所述第二非导电边界不具有任何金属纳米结构。
14.一种制造具有低可见性图案的透明导体的方法,所述方法包括:
在非导电衬底上涂覆涂料组合物,所述涂料组合物具有挥发性液体载体和多个金属纳米结构;
去除所述挥发性液体载体,以提供金属纳米结构的导电网状物;以及
根据图案蚀刻所述导电网状物,其中,所述图案限定了所述非导电衬底上的具有第一纵向方向的第一导电线;所述非导电衬底上的具有第二纵向方向的第二导电线,以及使所述第一导电线与所述第二导电线电绝缘的绝缘区,所述绝缘区具有沿所述第一纵向方向侧向邻接所述第一导电线的第一非导电边界和沿所述第二纵向方向侧向邻接所述第二导电线的第二非导电边界,其中所述绝缘区包括设置在所述非导电衬底上的多个导电材料岛状物,每个导电材料岛状物包括相应的多个导电纳米结构。
15.根据权利要求14所述的方法,其中,所述蚀刻完全去除所述非导电间隙、所述第一非导电边界和所述第二非导电边界内的所有所述金属纳米结构。
16.根据权利要求14所述的方法,其中,所述蚀刻局部蚀刻所述非导电间隙、所述第一非导电边界和所述第二非导电边界内的所述金属纳米结构,从而造成结构缺陷。
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