[发明专利]抗蚀剂下层膜形成用组合物

说明书

本发明的课题是提供在以丙二醇单甲基醚作为主成分的溶剂中的溶解性优异的抗蚀剂下层膜形成用组合物。作为解决本发明课题的方法涉及一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：具有下述式(1a)或式(1c)所示的结构单元、和下述式(1b)所示的结构单元的聚合物，以及含有超过50质量％的丙二醇单甲基醚的溶剂，上述式(1a)或式(1c)所示的结构单元与式(1b)所示的结构单元交替地排列(式(1a)和式(1b)中，Q表示亚苯基或亚萘基，m表示1或2，n各自独立地表示0或1。)。

技术领域

本发明涉及在以丙二醇单甲基醚作为主成分的溶剂中的溶解性优异的抗蚀剂下层膜形成用组合物。

背景技术

半导体装置的制造中的光刻工序通常包括溶液的涂布工序。作为该涂布工序中所使用的溶液，可举出例如，使聚合物和添加剂等溶解于有机溶剂的、溶液状的抗蚀剂下层膜形成用组合物和溶液状的抗蚀剂形成用组合物等。近年来，在光刻工序中，使用对人体有害性低、安全性高的溶剂的要求越发提高。因此，有时避免使用以往使用的有机溶剂，有能够使用的有机溶剂的种类受限的倾向。

例如，已知N-甲基-2-吡咯烷酮、环己酮的皮肤透过性高，质疑对胎儿带来不良影响。此外，质疑环己酮的致癌性。

如果能够使用的有机溶剂的种类受限，则必须选择对该受限的有机溶剂显示高溶解性的聚合物。不然，由于不能调制均匀的溶液，因此形成均质的膜变得困难。

作为与光刻工序所使用的溶液相关的文献，可举出例如下述专利文献1和专利文献2。专利文献1中记载了，包含具有至少二个缩水甘油基醚结构的化合物与羟基苯甲酸、萘甲酸等芳香族化合物的反应生成物的防反射膜形成用组合物。而且，合成例中记载了，使用具有四个以上缩水甘油基醚结构的化合物与4-羟基苯甲酸等具有羟基和/或羧基的化合物来获得低聚物化合物。作为专利文献1所记载的发明中能够适用的多个溶剂例之一，可举出丙二醇单甲基醚。下述专利文献2中记载了，包含具有经由酯键和醚键而导入了2,4-二羟基苯甲酸的结构的聚合物与溶剂的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物。而且，作为专利文献2所记载的发明中能够适用的多个溶剂例之一，可举出丙二醇单甲基醚。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2004-212907号公报

专利文献2：国际公开WO2009/057458号小册子

发明内容

发明所要解决的课题

本发明的课题是提供包含在以被认为是对人体有害性低、安全性高的丙二醇单甲基醚作为主成分的溶剂中的溶解性优异的聚合物的抗蚀剂下层膜形成用组合物。

用于解决课题的方法

本发明的第1方式涉及一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：具有下述式(1a)或式(1c)所示的结构单元、和下述式(1b)所示的结构单元的聚合物，以及含有超过50质量％的丙二醇单甲基醚的溶剂，上述聚合物中上述式(1a)或式(1c)所示的结构单元与式(1b)所示的结构单元交替地排列。

(式(1a)和式(1b)中，Q表示亚苯基或亚萘基，m表示1或2，n各自独立地表示0或1。)

本发明的第2方式涉及一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：具有下述式(1a’)所示的结构单元、以及下述式(1b’)所示的结构单元和下述式(1b”)所示的结构单元的聚合物，以及含有超过50质量％的丙二醇单甲基醚的溶剂，上述聚合物中上述式(1a’)所示的结构单元与式(1b’)或式(1b”)所示的结构单元交替地排列。

(式(1b’)和式(1b”)中，n各自独立地表示0或1。)